[发明专利]轴对称发光二极管的制造方法有效
| 申请号: | 200810211444.4 | 申请日: | 2008-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN101685795A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 陈明鸿;陈景宜 | 申请(专利权)人: | 海立尔股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 轴对称 发光二极管 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管的制造方法,特别是涉及一种用于改善具有多数个发光区域的发光二极管光型的轴对称发光二极管的制造方法。
背景技术
目前发光二极管的主要发展趋势为开发高亮度发光二极管,其是将多颗发光二极管单元封装于同一座体中,用以提高发光二极管的整体亮度。然而在封装过程中,由于每一发光二极管间距离极小,因此在使用银胶或焊锡将每一发光二极管固定在座体中时,将可能产生银胶或焊锡外溢的问题,使c得发光二极管出现短路现象。因此如果在单一发光二极管晶片上形成多个发光区域,则可以避免银胶或焊锡外溢的问题,并且达到提高亮度的功效。
如美国专利第6,869,812B1号“高功率氮化铝铟镓型多晶片发光二极管”中所揭露的一种用以形成一发光二极管晶片的方法,其包括:提供一本质透明基板;形成至少一作用区域于基板上;以及切割基板以形成具有一作用区域的至少一发光二极管晶片。
上述的先前技术是藉在透明基板上形成多数个具细长几何结构的作用区域,并在每一作用区域中设置发光二极管,用以提升整体的出光效率。然而美国专利第6,869,812B1号中,藉由细长几何结构排列形成的发光二极管晶片,其出光时所呈现的光型受到细长几何结构的限制,易产生光分布不均匀与光型不对称的问题。
又发光二极管晶片上的作用区域受到细长几何结构的限制,因此基板的面积无法做最有效的利用。且由于细长的几何结构,或是任何类型的结构,其是非对称地排列在基板上,因此无法呈现出对称的光型。
由此可见,上述现有的发光二极管在制造方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般方法又没有适切的方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的轴对称发光二极管的制造方法,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的发光二极管的制造方法存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新的称发光二极管的制造方法,能够改进一般现有的发光二极管的制造方法,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经反复试作及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的发光二极管的制造方法存在的缺陷,而提供一种新的轴对称发光二极管的制造方法,所要解决的技术问题是使其可在出光时呈现对称的光型,并使得光线集中不分散,以达到提高出光效率的功效,非常适于实用。
本发明的另一目的在于,提供一种轴对称发光二极管的制造方法,所要解决的技术问题是使其藉由使用轴对称排列方式,以有效利用基板面积,并形成最多发光区域,因此可达到有效利用基板面积的功效,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种轴对称发光二极管的制造方法,其包括以下步骤:提供一基板,且该基板具有一轴心;以及形成多数个发光区域,其以轴对称方式,以该轴心为中心,依同心圆方式排列形成于该基板上,且该基板上形成多数个沟槽,并在每一该沟槽上方覆盖有绝缘层,以使得每一该发光区域彼此相互绝缘,其中每一该发光区域至少具有一发光二极管,且每一该发光区域是利用导电材料将每一该发光二极管以串联或并联方式相互电性相连。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的轴对称发光二极管的制造方法,其中所述的轴对称发光二极管的制造方法,其特征在于其中所述的发光区域为多数个圆形发光区域。
前述的轴对称发光二极管的制造方法,其中所述的发光区域进一步分割成多数个等面积且等间距的次发光区域,且每一该次发光区域中的该发光二极管数量相等。
前述的轴对称发光二极管的制造方法,其中所述的次发光区域为多数个非矩形次发光区域。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知,为达到上述目的,本发明提供了一种轴对称发光二极管的制造方法,其包括下列步骤:提供一基板,且基板具有一轴心;以及形成多数个发光区域,其是以轴对称方式,以轴心为中心,依同心圆方式排列形成于基板上,且基板上形成多数个沟槽,并在每一沟槽上方覆盖有绝缘层,以使得每一发光区域彼此相互绝缘,其中每一发光区域至少具有一发光二极管,且每一发光区域是利用导电材料将每一发光二极管以串联或并联方式相互电性相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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