[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置及其薄膜晶体管阵列基板，且特别涉及 一种可防止闪烁的液晶显示装置与薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

图1示出依照一般薄膜晶体管液晶显示装置的电路示意图。请参照图1， 一般液晶显示装置位于同一列上的子像素SP_10A、SP_10B、SP_10C...的薄膜晶体 管TFT_10A、TFT_10B、TFT_10C...皆由同一条扫描线(scan line)S10进行驱动，通 常一个主像素由三个子像素所组成，例如一可显示任意所需颜色的主像素 通常由红、绿及蓝色三个子像素组成。当扫描线S10提供足够的开启电压 时，连接至扫描线S10的薄膜晶体管TFT_10A、TFT_10B、TFT_10C...就会被打开， 以使各条数据线D10所搭载的数据(电压电平)能够写入子像素SP_10A、SP_10B、 SP_10C...。当上述写入动作完成后，薄膜晶体管TFT_10A、TFT_10B、TFT_10C... 就会被关闭，并通过液晶电容C_LC与像素储存电容C_ST等保持各子像素 SP_10A、SP_10B、SP_10C...内的像素电极(pixel electrode)的电压电平。

然而，当薄膜晶体管TFT_10A、TFT_10B、TFT_10C...被关闭时，各子像素 SP_10A、SP_10B、SP_10C...内的像素电极的电压电平(level)很容易受到其它周围 电压改变的影响而变动，此电压变动量称为馈通电压(Feed-through voltage)， 以下以V_FD来表示。馈通电压可表示为：

V_FD＝[C_GD/(C_LC+C_ST+C_GD)]×ΔV_G    (1)

其中，方程式(1)内的C_LC为液晶电容，C_ST为像素储存电容，C_GD为薄 膜晶体管的栅极与漏极间的电容，ΔV_G则为扫描线在开启与关闭薄膜晶体 管时的电压差。在液晶显示装置的作动原理中，主要就是通过施加于液晶 分子的电场大小来改变液晶分子的旋转角度，进而表现出各种灰阶变化。 由于施加于液晶分子的电场大小是由各子像素的像素电极与共同电极 (common electrode)的电压差所决定，因此当子像素的像素电极的电压电平 受馈通电压V_FD影响而改变时，就会使此子像素显示灰阶时与其预定显示 值产生偏离，因此产生闪烁(flicker)并且影响液晶显示装置的显示效果。所 幸，由于各子像素的V_FD彼此间相差极小，故此缺点通常可经由输入显示 信号时对各子像素的驱动电压水平进行整体性的补偿来得到解决。

一般来说，组成液晶显示面板的一对薄膜晶体管阵列基板及对向基板 之间会设置多个间隔物(spacer)以维持间距，而间隔物通常仅设置在每个像 素区中的一个子像素区的像素储存电容上方、并且通常以光敏性树脂 (photosensitive resin)经光刻工艺(photo lithography)形成于对向基板的表面， 故其又称为感光间隔物(photo spacer，PS)。