[发明专利]引线框、半导体器件以及引线框的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及引线框、使用该引线框的半导体器件以及引线框的制造方法。

背景技术

近年来，作为采用引线框的半导体器件的形态之一，广泛采用四边扁平组件(以下称QFP)。图13表示现有普通QFP型半导体器件的截面。

如图13所示，在QFP型半导体器件中，形成有集成电路的半导体芯片6利用粘接剂7固接于芯片焊盘14的上表面侧。而且，形成于该半导体芯片6的表面的多个电极(未图示)通过多根导线8与放射状配置于芯片焊盘14周围的多根引线2连接。利用封固树脂体18将半导体芯片6、芯片焊盘14、导线8以及引线2与导线8的连接部分一并树脂塑封。另外，在封固树脂体18的外部，各引线2弯曲成形成鸥翼型。

另一方面，为了满足电子设备的多功能化、小型化、高密度化，要求半导体器件等的半导体零部件高密度化、高性能化、系统化，QFP型半导体器件正向多针脚化、引线的窄间距化、高散热化发展(例如参照香山晋、成瀬邦彦主编，《实践讲座VLSI封装技术(下)》，株式会社日经BP，1993年5月31日发行，P165～P170)。

通常，高耗电的半导体器件为了使工作时的产热有效地释放，具有如下结构：使具有散热板功能的芯片焊盘从封固树脂体露出，或另行设有散热板，或使该散热板从封固树脂体露出(例如参照日本专利特开平6-291236号公报)。图14表示现有的内置散热板的QFR型半导体器件的截面。

如图14所示，在该QFP形半导体器件中，形成有集成电路的半导体芯片6利用粘接剂7固接于散热板5的上表面侧。而且，形成于该半导体芯片6的表面的多个电极(未图示)通过多根导线8与放射状配置在安装于散热板5上的半导体芯片6的周围的多根引线2连接。散热板5夹着被冲压成指定框形的绝缘带3粘接于引线2的顶端侧的下表面。将半导体芯片6、散热板5、导线8以及引线2与导线8的连接部分一起用封固树脂体18树脂塑封。另外，在封固树脂体18的外部，各引线2弯曲成形呈鸥翼型。

如上所述，由于QFP型半导体器件向多针脚化、引线的窄间距化发展，引线框也向引线宽度窄小化以及引线窄间距化发展，引线的变形成为问题。

因此，为了减少引线的变形，作为引线框的制造方法，一般有如下所述的方法。即，在该制造方法中，首先，通过对金属板进行蚀刻或加压加工，形成邻接引线的顶端之间相互连接的状态的图案。经过镀敷工序和贴带工序(粘贴引线固定用绝缘带的工序)后，通过加压加工将各引线的顶端切断(例如参照日本专利特开平1—133340号公报)。

图15～图18是用于说明现有的内置散热板的QFP型半导体器件的制造工序的主要部分的俯视图和工序截面图，图19～图21是用于说明现有的内置散热板的QFP型半导体器件的制造工序的工序截面图。

首先，如图15所示，用蚀刻法或加压法对金属板进行加工，将框架(未图示)和与框架连接并向框架的中央部突出的多根引线2一体形成。此时，将邻接引线2的顶端之间加工成相互连接的状态。在此加工工序之前或之后，对各引线2的顶端部(切断加工后成为顶端部的部分)或整个金属板或金属板的形成引线框的部分实施镀敷处理。

然后，如图16所示，在引线2的顶端侧(切断加工后成为顶端侧的部分)的下表面粘贴被冲压成指定框形的绝缘带3。

然后，如图17所示，通过采用剪切模4的加压加工，将从绝缘带3的内框露出的各引线2的连接顶端切断，将各引线2分离。此时，由于引线2被绝缘带3固定，因此各引线2不会散乱地变形。

然后，如图18所示，将被冲压成所需形状的散热板5粘贴于绝缘带3的下表面，配置在框架内。

经上述图15～图18所示的工序，完成引线框1。

然后，如图19所示，利用粘接材料7将表面具有多个电极(未图示)的半导体芯片6固接于散热板5的上表面侧。

然后，如图20所示，通过多根导线8将形成于半导体芯片6的表面的多个电极(未图示)与多根引线2连接。

然后，如图21所示，用封固模9a、9b夹住引线框1，使装于壶10的封固树脂熔融，用柱塞11按压该熔融的封固树脂，通过流道12和浇口13注入金属模内，使注入该金属模内的封固树脂固化，形成封固树脂体。

虽未图示，但之后将从封固树脂体突出的各引线的一部分切断，弯曲成形，完成QFP型半导体器件。