[发明专利]半导体器件栅极的制作方法有效
| 申请号： | 200810208080.4 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101770944A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件栅极的制作方法，在半导体衬底上生成栅氧化层之后， 在所述栅氧化层上形成栅极多晶硅层，其特征在于，所述形成栅极多晶硅层的 方法包括：
在所述栅氧化层上沉积第一多晶硅层；
对所述第一多晶硅层进行预掺杂；所述预掺杂采用离子注入的方式，所述 离子为磷离子，注入剂量为2.0E15至5.0E15原子/立方厘米；
在所述预掺杂的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；
在所述第二多晶硅层上形成图案化的掩膜层并刻蚀第一多晶硅层和第二多 晶硅层；
移除图案化的掩膜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一多晶硅层进行预掺 杂之后，该方法进一步包括对所述预掺杂了的第一多晶硅层进行淬火处理的步 骤。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度 为所述栅极多晶硅层的厚度减去第一多晶硅层的厚度。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，磷离子的注入能量为3～10Kev， 所述栅极多晶硅层的厚度为所述第一多晶硅层的厚度为
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述移除图案化的掩膜层 采用氧气等离子灰化方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
