[发明专利]测试元件、测试元件组、液晶面板及间隙子高度检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造技术领域，特别涉及一种测试元件、测 试元件组、液晶面板及间隙子高度检测方法。

背景技术

通常，以TFTLCD(thin film transistor liquid crystal display， 薄膜晶体管液晶显示器)为例，液晶显示器的制作工艺包括：制作第一 基板(如彩膜基板)；制作第二基板(TFT阵列基板)；以及，对所述第 一基板与第二基板执行压盒操作。

其中，制作第一基板的工艺包括：在清洗后的玻璃基板上形成RGB(red green blue，红绿蓝三原色)膜层；在所述RGB膜层上形成像素电极层 (ITO，铟锡氧化物)，本文件内简称为公共电极层；在所述公共电极 层上形成间隙子(photo spacer，PS)。

所述间隙子用以在完成后续压盒操作后，维持所述第一基板和第二基 板间的间隙距离固定。具体地，形成间隙子的工艺包括：在所述公共电 极层上形成间隙膜层(如有机材料或玻璃材料)；刻蚀所述间隙膜层。

制作第二基板的工艺包括：在清洗后的玻璃基板上形成具有栅极、沟 道区及源/漏极金属层的TFT(薄膜晶体管)；形成覆盖所述玻璃基板内 TFT区域和非TFT区域的保护层；去除覆盖所述非TFT区域的保护层；在覆 盖所述TFT区域的保护层中形成暴露部分漏极表面的通孔；形成填充所述 通孔并覆盖所述非TFT区域的像素电极层，本文件内简称为像素电极层。

实践中，压盒后，由于所述间隙子用以维持所述第一基板和第二基板 间的间隙距离固定，使得所述间隙子通常以受压状态(只有极少数的所 述间隙子处于非受压状态)夹于所述第一基板和第二基板之间，  即，若 形成于所述公共电极层上的间隙子具有自由端口，则在压盒后，所述自 由端口与所述第二基板相接；即，若形成于所述公共电极层上的间隙子 的高度为H，则在压盒后，夹于所述第一基板和第二基板间的间隙子的高 度小于H。作为示例，如图1所示，以所述间隙子103与已形成像素电极层 206的所述第二基板201上覆盖扫描电极层202的保护层203(包含形成于 制程不同阶段的第一保护层和第二保护层)相接时为例，所述间隙子103 形成于第一基板101上(即，所述间隙子103的上底面1031与所述第一基 板101的公共电极层102相接，其下底面1032与所述第二基板201的保护层 203相接)，并处于填充所述第一基板101和所述第二基板201间间隙的液 晶301中；实践中，对于盒厚为3.8微米的LCD面板，预先形成的所述间隙 子103的高度通常为3.9微米，而压盒后所述间隙子103的高度仅约为3.6 微米。

由于压盒工艺是TFTLCD制程中的重要环节，对压盒工艺进行检测历来 被本领域技术人员所重视。而盒厚的均匀性直接影响TFTLCD的显示质量， 使得盒厚的均匀性成为判定压盒工艺是否符合产品要求的关键参数。然 而，当前的实际生产中，确定盒厚的均匀性时，只能通过多次测量整片 TFTLCD面板的盒厚值；而后，比较各盒厚值，各盒厚值之间的差值符合 预定标准时，确定盒厚的均匀性满足产品要求；各盒厚值之间的差值不 符合预定标准时，确定盒厚的均匀性不满足产品要求。

考虑到，影响盒厚的重要参数中包括所述间隙子在压盒后的高度，而 所述间隙子在压盒后的高度受其在压盒前的高度的影响，因此，所述间 隙子在压盒前后的高度的变化的均匀性将对盒厚的均匀性以及形成的 TFTLCD的显示性能产生直接影响；而在实际生产中，考虑到光学效应的 影响以及实际操作时面临的困难，无法在压盒前检测所述间隙子的高度， 即，只能在压盒后检测压盒前所述间隙子的高度，由此，本发明的发明 人提出，若能在压盒后仍可提供具有压盒前高度的所述间隙子，即可为 在压盒后检测压盒前所述间隙子的高度提供多种可能，换言之，实际生 产中需要在压盒后仍可提供具有压盒前高度的所述间隙子。

当前，所述间隙子的高度可利用白光干涉仪等光学设备直接测量，然 而，实际生产中，生产线上配备此设备的能力有限，如何提供一套可行 的替代手段成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供了一种测试元件，可在压盒后提供具有压盒前高度的间 隙子。

本发明提供了一种测试元件组，可用以获得压盒前后的间隙子的高 度。

本发明提供了一种液晶面板，可检测所述间隙子在压盒前后的高度 的均匀性，并进而检测盒厚的均匀性。