[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括源极、漏极、沟道区、控制栅、浮栅、源极多晶硅、字线，其中沟道区位于源极和漏极之间，源极多晶硅位于源极上方，字线位于沟道区上方，浮栅位于字线和源极多晶硅之间，控制栅位于浮栅上方，其特征在于所述控制栅和字线之间具有绝缘介质层，所述绝缘介质层为氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于所述半导体存储器件为分栅式闪存。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于所述控制栅的长度小于所述浮栅的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于所述氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层靠近字线的一侧为氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于所述氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层的厚度为1nm-100nm。