[发明专利]分栅式闪存的制造方法有效
| 申请号： | 200810204359.5 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101447435A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;李荣林;李栋;徐爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分栅式 闪存 制造 方法 | ||
1.一种分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底中的有源区上形成氧化层；
在所述氧化层上形成第二硅层；
在所述第二硅层上形成电介质层；
蚀刻掉部分所述电介质层；
在蚀刻掉的所述电介质层侧壁形成第一氧化物侧墙；
蚀刻部分所述第二硅层以及所述氧化层直至暴露出所述衬底表面；
在所述第二硅层侧壁形成第二氧化物侧墙；
在所述衬底表面上形成源极线；
蚀刻掉所述电介质层以及部分第二硅层，从而所述第二硅层形成浮栅；
蚀刻掉部分所述氧化层；
采用高温氧化方式在浮栅的侧壁形成隧穿氧化层的第一部分，在衬底上 形成控制栅氧化层的第一部分，所述隧穿氧化层的第一部分的厚度大于所述栅 氧化层的第一部分的厚度；
淀积形成所述隧穿氧化层的第二部分以及所述控制栅的第二部分；
在所述控制栅氧化层上淀积形成第一多晶硅层；
刻蚀部分所述第一多晶硅层形成侧壁控制栅。
2.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述高温氧 化为快速氧化或者在高温炉管中氧化。
3.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述隧穿氧 化层与所述控制栅氧化层同时生长形成。
4.如权利要求3所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述隧穿氧 化层与所述控制栅氧化层一体成型。
5.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述隧穿氧 化层的第二部分以及所述控制栅氧化层的第二部分为化学气相沉积形成。
6.如权利要求2所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述电介质 层为氮化硅。
7.如权利要求2所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述第二硅 层为多晶硅。
8.如权利要求1或2所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述衬 底为单晶硅衬底。
9.如权利要求1所述的分栅式闪存的制造方法，其特征在于：所述侧壁控 制栅通过化学气相沉积多晶硅结合各向异性刻蚀形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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