[发明专利]消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法有效
| 申请号： | 200810203860.X | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101752207A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 毛永吉;张京晶;王军;石锗元;李金刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 刻蚀 中溴化氢 浓缩 残留 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，用于消除干法刻蚀制程中残 留浓缩的溴化氢对晶圆及设备的污染，其特征在于在刻蚀制程结束时，在静 电吸盘的释放电荷流程中，将氟基气体混合氧气通入刻蚀反应腔室；
其中，所述氧气与氟基气体的流量比为30∶1～20∶1；
所述静电吸盘的释放电荷流程如下：
(1)所述氧气与氟基气体总流量400～500sccm通入所述刻蚀反应腔室，所 述刻蚀反应腔室压力15～30mtorr，工作温度40～70摄氏度，反应时间8～30s；
(2)所述氧气与氟基气体总流量400～500sccm通入所述刻蚀反应腔室，所 述刻蚀反应腔室压力15～30mtorr，工作温度40～70摄氏度，用于静电吸盘上 离子加速偏置的TCP射频功率保持600～1000w，反应时间5～30s。
2.如权利要求1所述的消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，其特征在于 所述氟基气体为氟化硫气体或氟化氮气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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