[发明专利]蚀刻方法及接触孔制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及蚀刻方法及接触孔制作方法。

背景技术

随着半导体器件线宽的越来越小(65nm或以下)，对于精细图形的制作主要采用干法蚀刻。干法蚀刻包括等离子体蚀刻、离子束蚀刻和反应离子蚀刻(RIE)，而目前采用较为广泛的就是反应离子蚀刻的方法。

上述精细图形的形状往往会影响最终形成的半导体器件的质量。以接触孔为例，一个符合工艺要求的接触孔应具有较小的阻容(RC)值。而由于蚀刻的质量直接影响形成接触孔的质量，因此蚀刻对接触孔的RC值将产生影响。

接触孔的制作工艺可以简单包括如下步骤：以光刻胶图形为掩模，采用反应离子蚀刻的方法形成接触孔的沟槽；去除光刻胶图形。在例如申请号为200610159332的中国专利申请中还能发现更多关于接触孔制造的相关信息。

目前，在所述反应离子蚀刻工艺后的检测中发现，蚀刻后的沟槽中通常会留下复杂混合物的残留物。这些残留物将有可能使得本应被蚀穿的接触孔未被蚀穿，或是由于残留物在接触孔的沟槽内的堆积而改变了接触孔的形状，上述缺陷都可能导致接触孔的RC值不符合工艺要求，而使得所形成的半导体器件质量降低。

发明内容

本发明要解决的问题是，现有蚀刻工艺后存在残留物沉积，而使得半导体器件质量降低的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种蚀刻方法，包括：对基底进行反应离子蚀刻，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

本发明还提供一种接触孔制作方法，包括：在待形成接触孔的基底表面形成图案化的光掩模；以所述光掩模，对所述基底进行反应离子蚀刻；在所述反应离子蚀刻后，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

与现有技术相比，上述所公开的蚀刻方法具有以下优点：通过在反应离子蚀刻后，对蚀刻后沟槽进行真空抽气，将沟槽内残留物抽取出来，从而避免由于残留物堆积而影响最终形成的半导体器件的质量。

附图说明

图1是本发明蚀刻方法的一种实施方式图；

图2是本发明蚀刻方法应用于接触孔制作的一种实施例图；

图3a至图3f是图2所示接触孔制作过程示意图；

图4是本发明蚀刻方法应用于接触孔制作的另一种实施例图；

图5是本发明接触孔制作方法的一种实施方式图。

具体实施方式

参照图1所示，本发明蚀刻方法的实施方式包括：

步骤s1，对基底进行反应离子蚀刻；

步骤s2，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

其中所述基底可以是为制作接触孔而需通过蚀刻形成沟槽的硅衬底，也可以是为制作金属连线而需事先通过蚀刻形成连线沟槽的顶层为绝缘层的衬底。

下面通过一些包含上述蚀刻方法的接触孔制作实例进行进一步说明。

参照图2所示，一种接触孔的制作方法实例包括：

步骤s10，在从下至上依次具有氮化硅层和氧化层的衬底表面形成底层抗反射层(BARC)；

步骤s11，在所述底层抗反射层上涂布光刻胶，并曝光、显影形成光刻胶图形；

步骤s12，以所述光刻胶图形为掩模，蚀刻所述底层抗反射层至曝露出氧化层；

步骤s13，以所述光刻胶图形和底层抗反射层为掩模，采用反应离子蚀刻的方法分两段蚀刻所述曝露出的氧化层，至曝露出氮化硅层；

步骤s14，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

下面结合附图对于上述实例过程进行详细说明，结合图2和图3a所示，上述制作接触孔的过程首先为步骤s10所述，在已具有氮化硅层11和氧化层12的衬底10表面形成底层抗反射层13，所述底层抗反射层13可以通过在所述氧化层12上涂胶来形成。

结合图2和图3b所示，接着如步骤s11所述，在所述底层抗反射层13上涂布光刻胶，并曝光、显影形成光刻胶图形14。所述光刻胶可以通过例如旋转涂布等方式在所述底层抗反射层13上形成。在涂布光刻胶后，通过曝光将接触孔掩模图形从掩模版上转移到光刻胶上，并利用显影液将相应部位的光刻胶去除以形成与接触孔掩模图形一致的光刻胶图形。

结合图2和图3c所示，然后如步骤s12所述，以所述光刻胶图形14为掩模，蚀刻所述底层抗反射层13至曝露出氧化层12。所述蚀刻底层抗反射层13可以采用例如等离子蚀刻的方法，蚀刻气体可以采用例如氧气、氧气和氮气的混合气体或氢气和氮气的混合气体中的任意一种。

结合图2和图3d、图3e所示，接下来如步骤s13所述，以所述光刻胶图形14和底层抗反射层13为掩模，采用反应离子蚀刻的方法分两段蚀刻所述曝露出的氧化层12，至曝露出氮化硅层11。