[发明专利]蚀刻方法及接触孔制作方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：对基底进行反应离子蚀刻，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述真空抽气采用真空泵作为气体抽取设备。

3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气包括：

根据所述气体抽取设备的功率大小，预设真空抽气的时间；

以所述预设时间，对沟槽进行真空抽气；

在达到预设时间之后，暂停真空抽气，并检测沟槽内剩余残留物的含量；

若沟槽内剩余残留物的含量处于工艺可接受的范围内，则结束真空抽气；

若沟槽内剩余残留物的含量超过工艺可接受的范围，则继续进行真空抽气，直到在某一真空抽气时间之后，沟槽内残留物的含量处于工艺可接受的范围内，则结束真空抽气。

4.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气的时间通过下述方法获得：

选取与实际形成接触孔的基底具有相同结构的试片，并对其进行反应离子蚀刻形成沟槽；

根据所述气体抽取设备的功率大小，预设真空抽气的时间；

以所述预设时间，对试片的沟槽进行真空抽气；

在达到预设时间之后，暂停真空抽气，并检测所述沟槽内剩余残留物的含量；

若所述沟槽内剩余残留物的含量处于工艺可接受的范围内，则以此预设时间作为真空抽气的时间；

若所述沟槽内剩余残留物的含量超过工艺可接受的范围，则继续进行真空抽气，直到在某一真空抽气时间之后，沟槽内残留物的含量处于工艺可接受的范围内，以所述时间作为真空抽气的时间。

5.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述沟槽内剩余残留物的含量可以通过测量沟槽结构的RC值获得。

6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述反应离子蚀刻采用C₄F₈或C₄F₆作为蚀刻气体。

7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述对基底进行反应离子蚀刻为两段蚀刻，且在每一段蚀刻之后，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

8.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，还包括：对基底进行反应离子蚀刻后，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气前，使用化学试剂清洗沟槽。

9.一种接触孔制作方法，其特征在于，包括：在待形成接触孔的基底表面形成图案化的光掩模；以所述光掩模，对所述基底进行反应离子蚀刻；在所述反应离子蚀刻后，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。

10.如权利要求9所述的接触孔制作方法，其特征在于，所述真空抽气采用真空泵作为气体抽取设备。

11.如权利要求10所述的接触孔制作方法，其特征在于，所述对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气包括：

根据所述气体抽取设备的功率大小，预设真空抽气的时间；

以所述预设时间，对沟槽进行真空抽气；

在达到预设时间之后，暂停真空抽气，并检测沟槽内剩余残留物的含量；

若沟槽内剩余残留物的含量处于工艺可接受的范围内，则结束真空抽气；

若沟槽内剩余残留物的含量超过工艺可接受的范围，则继续进行真空抽气，直到在某一真空抽气时间之后，沟槽内残留物的含量处于工艺可接受的范围内，则结束真空抽气。

12.如权利要求10所述的接触孔制作方法，其特征在于，所述对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气的时间通过下述方法获得：

选取与实际形成接触孔的基底具有相同结构的试片，并对其进行反应离子蚀刻形成沟槽；

根据所述气体抽取设备的功率大小，预设真空抽气的时间；

以所述预设时间，对试片的沟槽进行真空抽气；

在达到预设时间之后，暂停真空抽气，并检测所述沟槽内剩余残留物的含量；

若所述沟槽内剩余残留物的含量处于工艺可接受的范围内，则以此预设时间作为真空抽气的时间；

若所述沟槽内剩余残留物的含量超过工艺可接受的范围，则继续进行真空抽气，直到在某一真空抽气时间之后，沟槽内残留物的含量处于工艺可接受的范围内，以所述时间作为真空抽气的时间。