[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810202832.6 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740365A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈旺;何永根;刘云珍;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极介电层；
将氮离子引入栅极介电层；
其特征在于，所述产生氮离子的电压为脉冲射频方式。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，所述将氮离子引入栅极介电层为采用去耦等离子体渗氮方法。
3.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，所述脉冲射频方式产生氮离子的频率为13.56MHz，占空比为15％至35％。
4.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，所述脉冲射频方式产生氮离子的功率范围为1500-2500W。
5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，所述栅极介电层中引入的氮离子的浓度范围为5E14至6E15cm-2。
6.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，形成氮离子的氮源为N2或N2与惰性气体的混合物。
7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，通入的氮源为N2时，其流量为100至500sccm；通入的氮源为N2与惰性气体的混合物时，通入的总的气体流量范围为200-500sccm，其中N2的流量为50至450sccm，惰性气体的流量为50至450sccm。
8.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，在将氮离子引入栅极介电层之后还包括对栅极介电层进行退火步骤。
9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，所述退火采用快速热退火，所述退火温度范围为900至1100℃，退火气氛为O2或者O2与N2的混合气体，气压为0.1至100Torr，退火时间为5至100s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810202832.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于生产磷酸铵盐的反应器
- 下一篇：一种在线调节空化效果的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
