[发明专利]一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置

权利要求书

1.一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，包括坩埚、平台、石墨支架和不锈钢平台；石墨支架设于不锈钢平台上面；平台设于石墨支架上面；坩埚设于平台上面，其特征在于：还包括倒角和凝固槽；所述的平台上表面开有至少1个径向导流槽和至少1个纬向导流槽；所述的倒角设在平台底部的周边；所述的凝固槽设于平台的下面并环绕平台一周；所述的凝固槽的内周设于倒角的里面，外周延伸到平台的外面。

2.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的平台的厚度至少为50mm。

3.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的径向导流槽从平台的中心沿径向向外发散；所述的纬向导流槽围绕平台的中心，与平台的周边形状相似；所述的径向导流槽和所述的纬向导流槽相交成网状。

4.根据权利要求1或3所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的径向导流槽和纬向导流槽的深度和宽度为5mm～40mm；所述径向导流槽从中心向外越来越深，所述的纬向导流槽的深度跟与其相交的径向导流槽的深度相同。

5.根据权利要求1或3所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：在最外圈的纬向导流槽开至少一个导流口。

6.根据权利要求5所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的导流口的下部装有硅液传感器；该硅液传感器为线形传感器。

7.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的凝固槽的厚度以能承载坩埚内全部硅液的重量为限，所述的凝固槽的容量以能装下坩埚内全部的硅液为限。

8.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的凝固槽由高温耐火材料组成，该高温耐火材料为高铝、碳纤或上述材料的组合。

9.根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于：所述的平台由耐火材料组成，该耐火材料为石墨、石英、钨钼合金或上述材料的组合。