[发明专利]导电插塞的制作方法

权利要求书

1.一种导电插塞的制作方法，其特征在于，包括：

提供形成有层间介质层的半导体衬底，所述层间介质层中包含有贯穿层间介质层的接触孔，其中，层间介质层上及接触孔内壁形成有阻挡层；

利用脉冲成核层工艺在阻挡层上及接触孔内形成晶核层及填充导电材料，其中在起始步骤中将带有各膜层的半导体衬底曝露在乙硼烷中，曝露时间调控至使阻挡层致密均匀；

平坦化导电材料及晶核层至露出阻挡层，形成导电插塞。

2.根据权利要求1所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述将带有各膜层的半导体衬底曝露在乙硼烷中的时间为6秒～25秒。

3.根据权利要求1所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述脉冲成核层工艺中起始步骤采用的气体为B₂H₆，流量为250sccm～500sccm。

4.根据权利要求3所述导电插塞的制作方法，其特征在于，通入B₂H₆的同时通入载气体氩气。

5.根据权利要求4所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述B₂H₆与氩气的流量比为1∶10～1∶15。

6.根据权利要求1所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述脉冲成核层工艺中成核步骤采用的气体为SiH₄和WF₆，其中SiH₄的流量为200sccm～300sccm，WF₆的流量为200sccm～400sccm。

7.根据权利要求6所述导电插塞的制作方法，其特征在于，通入SiH₄和WF₆的同时通入载气体氩气。

8.根据权利要求7所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述SiH₄、WF₆与氩气的流量比为1∶1∶10～1∶2∶15。

9.根据权利要求8所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述通入SiH₄、WF₆与氩气的时间为0.3秒～2秒，采用的温度为250℃～400℃。

10.根据权利要求1所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述脉冲成核层工艺中填充步骤采用的气体为H₂和WF₆，其中H₂的流量为15000sccm～20000sccm，WF₆的流量为150sccm～250sccm。

11.根据权利要求10所述导电插塞的制作方法，其特征在于，通入H₂和WF₆的同时通入载气体氩气。

12.根据权利要求11所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述WF₆、H₂与氩气的流量比为1∶60∶40～1∶100∶60。

13.根据权利要求12所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述通入WF₆、H₂与氩气的时间为12秒～65秒，采用的温度为300℃～450℃。

14.根据权利要求1所述导电插塞的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化钛，厚度为50埃～100埃。

15.根据权利要求14所述导电插塞的制作方法，其特征在于，形成阻挡层的方法为化学气相沉积法。