[发明专利]半导体器件制作方法及系统无效
| 申请号： | 200810200275.4 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101685778A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 系统 | ||
1、一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
提供已在有源区上方形成栅极的半导体衬底；
采用实时蒸汽产生制作工艺进行二次氧化，形成所述栅极的侧壁氧化层和有源区的电容氧化层；
从所述侧壁氧化层及电容氧化层注入杂质离子，以形成低掺杂源漏。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺中的反应气体包括氢气和氧气。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺中的氢气比例在0.5％与5％之间，氧气比例在95％与99.5％之间。
4、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺的操作温度在850摄氏度与950摄氏度之间，操作压力在10托尔至25托尔之间。
5、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺的氧化反应时间在5秒与60秒之间。
6、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅。
7、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度范围为10埃至30埃之间。
8、一种半导体器件制作系统，其特征在于，包括：
氧化单元，用于采用实时蒸汽产生制作工艺，对已在半导体衬底有源区上方形成栅极的晶片进行二次氧化，形成所述栅极的侧壁氧化层，和有源区的电容氧化层；
离子注入单元，用于从所述侧壁氧化层及电容氧化层注入杂质离子，以形成低掺杂源漏。
9、如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺中的反应气体包括氢气和氧气。
10、如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺中的氢气比例在0.5％与5％之间，氧气比例在95％与99.5％之间。
11、如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述实时蒸汽产生制作工艺的操作温度在850摄氏度与950摄氏度之间，操作压力在10托尔至25托尔之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810200275.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：堆叠电容的存储电极的制作方法
- 下一篇：高阻燃宽带用数字程控软电缆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
