[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200810189727.3 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101471349A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/78;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李 玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及安装有半导体集成电路的半导体装置以及半导体装置 的制造方法。
背景技术
作为具有矩阵型显示功能的半导体装置,现知的有无源矩阵型和 有源矩阵型结构。在具有矩阵型显示功能的半导体装置中,一般需要 设置有用于驱动像素矩阵的半导体集成电路。但是,因为矩阵的规模 为大至数百行的大规模的缘故,需要使用用于将长方形的IC封装、半 导体芯片等的集成电路的端子与衬底上的电布线连接的布线,所以相 对于显示画面周围部分的面积变得不可忽视的大。
作为解决该问题的办法,公开有一种可以进一步减小周围部分面 积的半导体集成电路的安装方法(例如,参照专利文献1至3。)。例 如,在专利文献1中,公开了一种将半导体集成电路形成在与像素矩 阵的一边几乎相同长度的细长的衬底(称为棒(stick)、或棒晶(stick crystal)上,并将其与端子部相连接的方法。
[专利文献1]日本专利申请公开H7-14880号公报
[专利文献2]日本专利申请公开H8-250745号公报
[专利文献3]日本专利申请公开H8-264796号公报
但是,在半导体装置的制造工序中,当进行半导体集成电路的安 装时,有施加有如压力等的外部压力的情况。有可能发生起因于该种 外部压力的半导体集成电路的破损。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于:减少起因于外部压力的半导 体集成电路的破损;薄化设置有半导体集成电路的衬底;提高薄型化 半导体集成电路的制造成品率;以及,降低薄型化半导体集成电路的 制造成本。
在本发明中,将具有另行形成在支撑衬底上的半导体元件层的半 导体集成电路用作驱动电路(driver)而安装在具有绝缘表面的衬底 上。半导体集成电路与形成在具有绝缘表面的衬底上的像素部电连接 而用作驱动电路。半导体集成电路所含有的半导体元件使用从单晶半 导体衬底分离的单晶半导层。
在本发明中,通过对支撑衬底进行切断,可以将多个半导体集成 电路以芯片(或细长的棒)状取出。在本发明中,作为切断方法,首先 对支撑衬底的厚度进行减薄加工,由此缩短用于切断的工序时间以及 减轻用于切断的如切割器等的加工用具的磨损。并且不是直接进行切 断工序,而是首先在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽,并 在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层。然后,将树脂层以及支撑衬底 在槽部进行切断,以将其切断(切割)成多个半导体集成电路。在本发 明中,槽还指包括槽周围凹部区域的槽部。
通过将对树脂层以及支撑衬底进行切断的切断面的宽度窄于槽的 宽度,可以使形成在槽中的树脂层残存在支撑衬底侧面上。由此,在 半导体集成电路中,没有设置半导体元件层的面以及侧面的一部分成 为被树脂层覆盖的结构。
因此,在本发明的半导体装置所包括的半导体集成电路中,支撑 衬底的侧面具有台阶,且衬底的宽度尺寸与台阶相比其前端部分要小, 所以也可以称为凸字形状。另外,在支撑衬底的截面上,侧面为阶梯 状的梯形,并且该阶梯状的梯形其上部的厚度比下部的厚度要厚。根 据槽的形状,梯形的上部变成朝向下部弯曲的形状,且树脂层接触的 支撑衬底的侧面具有向下面扩展的曲面。另外,衬底的底面以及上面 为四边形,且底面的面积比上面的面积大。
如上所述,由于本发明的半导体装置的形状复杂,所以容易辨别 半导体装置的上下,还可以减少机械等的自动操作时的误识。
半导体集成电路可以通过COG(玻璃上芯片)方式、TAB(载带自动 键合)方式安装到形成有像素部的具有绝缘表面的衬底上。
由于设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底被树脂层覆 盖,所以在工序上较易处理且不易发生破损等的问题。所以,可以高 成品率地生产更薄型的具有高性能的半导体装置。
在本发明中,作为安装半导体集成电路作为驱动电路(driver)并 具有显示功能的半导体装置,既可以是无源矩阵型也可以是有源矩阵 型。还可以安装半导体集成电路作为存储元件的驱动电路,从而制造 具有存储功能的半导体装置。
本发明之一的一种半导体装置,包括:设置有包括形成在支撑衬 底上的单晶半导体层的半导体元件层的半导体集成电路,其中支撑衬 底的与半导体元件层的形成面相反的面以及其侧面的一部分被树脂层 覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的