[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810189727.3 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471349A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/78;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种制造多个半导体集成电路的方法，包括如下步骤：
对单晶半导体衬底添加离子以在距所述单晶半导体衬底的一个面的一 定的深度处形成脆化层；
提供支撑衬底；
在所述单晶半导体衬底的一个面或者所述支撑衬底上形成绝缘层；
在所述单晶半导体衬底与所述支撑衬底以夹着所述绝缘层的方式彼此 重合的状态下，进行使所述脆化层中产生裂缝并使所述单晶半导体衬底沿 着所述脆化层分离的热处理，以从所述单晶半导体衬底将单晶半导体层形 成在所述支撑衬底上；
形成多个含有所述支撑衬底上的所述单晶半导体层的半导体元件层；
减薄所述支撑衬底的厚度；
在所述支撑衬底中在所述多个半导体元件层之间形成槽；
在形成有所述槽的所述支撑衬底上形成树脂层；以及
在所述槽中对所述支撑衬底以及所述树脂层进行切断。
2.根据权利要求1所述的制造多个半导体集成电路的方法，
其中，在所述槽中对所述支撑衬底以及所述树脂层的切断是从所述支 撑衬底一侧进行的。
3.根据权利要求1或者2所述的制造多个半导体集成电路的方法，其 中所述多个半导体集成电路中的至少一个安装在具有绝缘表面的衬底上。
4.根据权利要求3所述的制造多个半导体集成电路的方法，其中使用 玻璃衬底作为所述具有绝缘表面的衬底。
5.根据权利要求1或者2所述的制造多个半导体集成电路的方法，其 中所述多个半导体集成电路中的至少一个安装在具有绝缘表面并设置有像 素部的衬底上。
6.根据权利要求5所述的制造多个半导体集成电路的方法，其中使用 玻璃衬底作为所述具有绝缘表面的衬底。
7.根据权利要求1或者2所述的制造多个半导体集成电路的方法，其 中在所述槽中切断所述支撑衬底以及所述树脂层的切断面的宽度窄于所述 槽的宽度。
8.根据权利要求1或者2所述的制造多个半导体集成电路的方法，其 中所述槽使用切割器形成。
9.根据权利要求1或者2所述的制造多个半导体集成电路的方法，其 中使用玻璃衬底作为所述支撑衬底。
10.一种半导体装置的制造方法，包括：
根据权利要求1或者2所述的方法制造多个半导体集成电路，其中所 述的多个半导体集成电路之一采用COG(玻璃上芯片)方式安装在所述半导 体装置上。
11.一种半导体装置的制造方法，包括：
根据权利要求1或者2所述的方法制造多个半导体集成电路，其中所 述的多个半导体集成电路之一采用TAB(载带自动键合)方式安装在所述半 导体装置上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
