[发明专利]图像传感器的列处理电路及图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器的列处理电路，包括列处理单元，其特征在于，所述列处理单元包括：

参考电压单元，包括从输入端向输出端依次串联的控制开关和运算放大器电路，以及一端连接于所述控制开关和电压跟随器之间的接地电容；

光强电压单元，包括从输入端向输出端依次串联的控制开关和运算放大器电路，以及一端连接于所述控制开关和电压跟随器之间的接地电容；

差分输出开关，一端连接在所述参考电压单元的控制开关和所述参考电压单元的运算放大器电路之间，另一端连接在所述光强电压单元的控制开关和所述光强电压单元的运算放大器电路之间；

其中所述运算放大器电路连接为电压跟随器形式；

还包括第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关连接到参考电压单元的运算放大器电路的输出端，所述第二选通开关连接到光强电压单元的运算放大电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的列处理电路，其特征在于，还包括第二级运算放大器电路，所述第二级运算放大器电路的输入端连接至少两个所述参考电压单元的运算放大器电路的输出，输出端连接所述第一选通开关，其中所述第二级运算放大器电路连接为电压跟随器形式。

3.根据权利要求2所述的列处理电路，其特征在于，还包括第三级运算放大器电路，所述第三级运算放大器电路的输入端连接至少两个第二级运算放大器电路的输出端，所述第三级运算放大器电路的输出端和所述第一选通开关相连，其中所述第三级运算放大器电路连接为电压跟随器形式。

4.根据权利要求1所述的列处理电路，其特征在于，还包括第二级运算放大器电路，所述第二级运算放大器电路的输入端连接至少两个所述光强电压单元的运算放大器电路的输出，输出端连接所述第二选通开关，其中所述第二级运算放大器电路连接为电压跟随器形式。

5.根据权利要求2所述的列处理电路，其特征在于，还包括第三级运算放大器电路，所述第三级运算放大器电路的输入端连接至少两个第二级运算放大器电路的输出端，所述第三级运算放大器电路的输出端和所述第二选通开关相连，其中所述第三运算放大器电路连接为电压跟随器形式。

6.根据权利要求1所述的列处理电路，其特征在于，所述运算放大器电路中，第一PMOS管的源极接高电平，第一PMOS管的栅极接偏置电压，第一PMOS管的漏极接第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极；第二PMOS管的栅极为输入端，第二PMOS管的漏极接第一NMOS管的漏极和栅极，第一NMOS管的源极接低电平；第三PMOS管的栅极为输出端，所述第三PMOS管的栅极和第三PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接低电平，第二NMOS管的栅极接第一NMOS管的栅极。

7.根据权利要求1所述的列处理电路，其特征在于，所述运算放大器电路中，第一PMOS管的源极接高电平，第一PMOS管的栅极和漏极连接第一NMOS管的漏极；第一NMOS管的栅极为输入端，第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极；第二NMOS管的栅极接偏置电压，第二NMOS管的源极接低电平；第三NMOS管的源极接第一NMOS管的源极，第三NMOS管的栅极和漏极接输出，第二PMOS管的源极接高电平，第二PMOS管的栅极接第一PMOS管的栅极，第二PMOS管的源极接高电平。

8.根据权利要求1所述的列处理电路，其特征在于，所述运算放大器电路中，第一PMOS管的源极接高电平，第一PMOS管的栅极和漏极连接第一NMOS管的漏极；第一NMOS管的栅极为输出端，第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极；第二NMOS管的栅极接偏置电压，第二NMOS管的源极接低电平；第三NMOS管的源极接第一NMOS管的源极，第三NMOS管的栅极为输入端，第三NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极，第二PMOS管的源极接高电平，第二PMOS管的栅极接第一PMOS管的栅极，第二PMOS管的源极接高电平，第三PMOS管的栅极接第二PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极为输出端并且接第四NMOS管的漏极，第四NMOS管的栅极接偏置电压，第四NMOS管的源极接低电平。