[发明专利]调节和固定基板温度的装置无效
申请号: | 200810186474.4 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101465285A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 米仓宽;儿山智昭;玉川晃树 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾红霞;彭 会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调节 固定 温度 装置 | ||
技术领域
本发明涉及调节和固定基板温度的装置,更具体地说,本发明涉及一种设置有静电卡盘的调节和固定基板温度的装置,其中该静电卡盘具有基体和嵌入该基体中以便加热基板的电阻加热器。
背景技术
在诸如用于在基板(诸如玻璃基板或半导体基板等)上形成涂层的涂布装置或用于使形成在基板上的涂层图案化的蚀刻装置等制造装置中,设置有调节和固定基板温度的装置,以将吸附并固定在基体上的基板的温度调节为预定温度(见图1)。
图1是示出根据常规技术的调节和固定基板温度的装置的横截面图。
如图1所示,根据常规技术的调节和固定基板温度的装置300包括静电卡盘301和底板302。静电卡盘301包括:基体305、静电电极306以及电阻加热器307。基体305布置在底板302上。基体305包括用于将基板303放置在上面的基板放置表面305A。例如可以使用陶瓷作为基体305的材料。
静电电极306为薄膜电极。静电电极306嵌入基体305中,位于基板放置表面305A附近的位置。静电电极306是在被施加电压时将基板303固定到基体305(具体为基板放置表面305A)上的电极。
电阻加热器307嵌入基体305中,位于静电电极306下方的位置。电阻加热器307由互连图案(未示出)形成。电阻加热器307在被施加电压时发热,从而通过这种发热来加热基板放置表面305A(换句话说,经由基板放置表面305A加热基板303)。
底板302包括底板主体311和冷却机构312。底板主体311用于支撑静电卡盘301。例如可以使用Al作为底板主体311的材料。冷却机构312包括:管路314、冷却水导入部分315以及冷却水排出部分316。管路314嵌入底板主体311中。管路314用于使冷却水循环。流入管路314的冷却水使基体305冷却,从而调节基板放置表面305A的温度。
冷却水导入部分315设置在底板主体311的下表面一侧。冷却水导入部分315用于将冷却水引导入管路314中。冷却水排出部分316设置在底板主体311的下表面一侧。冷却水排出部分316用于将温度升高的冷却水排放到底板主体311的外部(例如,见JP-A-2005-26120)。
然而,由于被引导到冷却水导入部分315中的冷却水的温度的影响,使得底板主体311在位于冷却水导入部分315附近的部分的温度低于底板主体311在位于其他不同位置的部分的温度。因此,基板303在位于冷却水导入部分315上方的部分的温度低于基板303在位于其他不同位置的部分的温度。因此,在根据常规技术的调节和固定基板温度的装置300中,出现的问题是无法将整个基板303加热到预定温度。
另外,由于基体305的热量容易传递到底板302上,所以出现的问题是要花费大量的时间将基板放置表面305A加热到预定温度。
另外,虽然可以考虑通过向电阻加热器307施加高电压来将基板放置表面305A加热到预定温度,但是在这种情况下,高电流流入电阻加热器307的电路,从而产生电阻加热器307损坏的问题。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种能够在短时间内将整个基板加热到预定温度的调节和固定基板温度的装置。
根据本发明的第一方面,提供了一种调节和固定基板温度的装置,包括:
静电卡盘,包括:基体,其具有用于将基板放置在上面的基板放置表面;静电电极,其嵌入所述基体中;以及电阻加热器,其嵌入所述基体中以便加热所述基板,
底板,包括:底板主体,其用于支撑所述静电卡盘;以及冷却机构,其嵌入所述底板主体中以便使所述基体冷却,以及
隔热部分,其设置在所述底板主体的位于所述冷却机构与所述静电卡盘之间的部分中。
根据本发明的第二方面,提供了根据第一方面所述的调节和固定基板温度的装置,其中,
所述冷却机构包括:管路,其用于使冷却水从中流动;以及冷却水导入部分,其用于引导冷却水进入所述管路,并且
所述隔热部分布置成与所述冷却机构相对。
根据本发明的第三方面,提供了根据第一或第二方面所述的调节和固定基板温度的装置,其中,
所述隔热部分是形成在所述底板主体中的空间。
根据本发明的第四方面,提供了根据第三方面所述的调节和固定基板温度的装置,其中,
所述空间处于真空状态。
根据本发明的第五方面,提供了根据第三方面所述的调节和固定基板温度的装置,其中,
将压力被调节为预定压力的惰性气体引导到所述空间中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造