[发明专利]调节和固定基板温度的装置无效
| 申请号： | 200810186474.4 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465285A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 米仓宽;儿山智昭;玉川晃树 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;彭 会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调节 固定 温度 装置 | ||
1.一种调节和固定基板温度的装置，包括：
静电卡盘，包括：基体，其具有用于将基板放置在上面的基板放置表面；静电电极，其嵌入所述基体中；以及电阻加热器，其嵌入所述基体中以便加热所述基板，
底板，包括：底板主体，其用于支撑所述静电卡盘；以及冷却机构，其嵌入所述底板主体中以便使所述基体冷却，以及
隔热部分，其设置在所述底板主体的位于所述冷却机构与所述静电卡盘之间的部分中。
2.根据权利要求1所述的调节和固定基板温度的装置，其中，
所述冷却机构包括：管路，其用于使冷却水从中流动；以及冷却水导入部分，其用于引导冷却水进入所述管路，并且
所述隔热部分布置成与所述冷却机构相对。
3.根据权利要求1所述的调节和固定基板温度的装置，其中，
所述隔热部分是形成在所述底板主体中的空间。
4.根据权利要求3所述的调节和固定基板温度的装置，其中，
所述空间处于真空状态。
5.根据权利要求3所述的调节和固定基板温度的装置，其中，
将压力被调节为预定压力的惰性气体引导到所述空间中。
6.根据权利要求5所述的调节和固定基板温度的装置，其中，
所述惰性气体为氦气。
7.根据权利要求1所述的调节和固定基板温度的装置，还包括：
匀热板，其设置在所述静电卡盘与所述底板之间。
8.根据权利要求1所述的调节和固定基板温度的装置，还包括：
用于加热所述基板的加热器部分，其设置在所述底板主体的位于所述隔热部分与所述冷却机构之间的部分中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
