[发明专利]发光二极管结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管结构及其制作方法，且特别是有关于 一种侧壁上覆盖有绝缘层的发光二极管结构及其制作方法。

背景技术

发光二极管的封装工艺一般是包括外延、加工切割成多个发光二极管 芯片、固晶、打线接合等工艺。然而，在切割的过程中，容易在这些发光 二极管芯片的侧壁上产生缺陷。一旦发光二极管芯片的侧壁具有缺陷，则 易有漏电流的问题产生，以致于发光二极管芯片在电性上的稳定性不佳。 此外，发光二极管芯片的侧壁裸露于外界环境中，容易受到外界环境或是 后续工艺的污染或是损坏，以致于工艺良率降低。

此外，在固晶的过程中，用以固定发光二极管芯片的银胶容易因为胶 量控制不当而溢流至发光二极管芯片的侧壁，以致于发光二极管芯片的p 型掺杂半导体层与n型掺杂半导体层之间电性短路。前述的电性短路会造 成发光二极管芯片的亮度衰减、逆偏电流增加、工艺良率降低以及制作成 本提高等缺点。

发明内容

本发明提出一种发光二极管结构，可避免溢流至发光二极管芯片的侧 壁上的银胶使p型掺杂半导体层与n型掺杂半导体层之间电性短路。

本发明另提出一种发光二极管结构的制作方法，其工艺良率较高且制 作成本较低。

本发明提出一种发光二极管结构的制作方法如下所述。首先，提供一 发光二极管芯片与一承载基板。发光二极管芯片配置于承载基板上，发光 二极管芯片具有朝向承载基板的一底面、相对于底面的至少一顶面以及与 顶面相连的至少一侧壁，且发光二极管芯片具有配置于顶面上的至少一电 极。然后，于承载基板上形成一连续性抗氧化材料层。接着，移除部分连 续性抗氧化材料层，以于发光二极管芯片的顶面上及部分承载基板上形成 一抗氧化层，以覆盖配置于顶面上的电极，并暴露出侧壁。然后，施行一 氧化法，以于发光二极管芯片的侧壁上形成一绝缘层。之后，移除抗氧化 层。

在本发明的一实施例中，发光二极管芯片包括一第一型掺杂半导体 层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层，其中发光层位于第一型掺杂半 导体层与第二型掺杂半导体层之间。

在本发明的一实施例中，绝缘层的材质包括第一型掺杂半导体层的氧 化物、发光层的氧化物以及第二型掺杂半导体层的氧化物。

在本发明的一实施例中，绝缘层的材质包括含镓的氧化物以及含氮的 氧化物。

在本发明的一实施例中，绝缘层的材质包括含镓的氧化物以及含磷的 氧化物。

本发明提出一种发光二极管结构的制作方法如下所述。首先，提供一 发光二极管芯片与一承载基板。发光二极管芯片配置于承载基板上，发光 二极管芯片具有朝向承载基板的一底面、相对于底面的至少一顶面以及与 顶面相连的至少一侧壁，且发光二极管芯片具有配置于顶面上的至少一电 极。接着，于承载基板上形成一连续性覆盖材料层。然后，移除部分连续 性覆盖材料层，以于顶面上及部分承载基板上形成一覆盖层，以覆盖电极。 接着，于承载基板上形成一连续性绝缘材料层，并覆盖发光二极管芯片。 之后，移除覆盖层以及连续性绝缘材料层的位于覆盖层上的部分，以于发 光二极管芯片的侧壁上形成一绝缘层。

在本发明的一实施例中，形成连续性绝缘材料层的方法包括物理气相 沉积、化学气相沉积、溅镀或电子束成长。

在本发明的一实施例中，绝缘层的材质包括含硅的氧化物。

在本发明的一实施例中，发光二极管芯片包括一第一型掺杂半导体 层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层，其中发光层位于第一型掺杂半 导体层与第二型掺杂半导体层之间。

本发明提出一种发光二极管结构的制作方法如下所述。首先，提供一 发光二极管芯片与一承载基板。发光二极管芯片配置于承载基板上，发光 二极管芯片具有朝向承载基板的一底面、相对于底面的至少一顶面以及与 顶面相连的至少一侧壁，且发光二极管芯片具有配置于顶面上的至少一电 极。接着，承载基板上形成一连续性绝缘材料层，以覆盖发光二极管芯片。 然后，于侧壁上形成一保护层，且连续性绝缘材料层位于保护层与侧壁之 间。之后，移除连续性绝缘材料层的未被保护层所覆盖的部分，以于发光 二极管芯片的侧壁上形成一绝缘层。然后，移除保护层。

在本发明的一实施例中，形成连续性绝缘材料层的方法包括旋转涂 布。

在本发明的一实施例中，连续性绝缘材料层的材质包括含有二氧化硅 的氧化物溶胶。