[发明专利]发光二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构的制作方法，包括：

提供一发光二极管芯片与一承载基板，该发光二极管芯片配置于该承 载基板上，该发光二极管芯片具有朝向该承载基板的一底面、相对于该底 面的至少一顶面以及与该顶面相连的至少一侧壁，且该发光二极管芯片具 有配置于该顶面上的至少一电极；

于该承载基板上形成一连续性抗氧化材料层；

移除部分该连续性抗氧化材料层，以于该发光二极管芯片的该顶面上 及部分该承载基板上形成一抗氧化层，该抗氧化层覆盖配置于该顶面上的 该电极，并暴露出该侧壁；

施行一氧化法，以于该发光二极管芯片的该侧壁上形成一绝缘层；以 及

移除该抗氧化层。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构的制作方法，其中该发光二极 管芯片包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光 层，其中该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之 间。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构的制作方法，其中该绝缘层的 材质包括第一型掺杂半导体层的氧化物、发光层的氧化物以及第二型掺杂 半导体层的氧化物。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构的制作方法，其中该绝缘层的 材质包括含镓的氧化物以及含氮的氧化物。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构的制作方法，其中该绝缘层的 材质包括含镓的氧化物以及含磷的氧化物。

6.一种发光二极管结构的制作方法，包括：

提供一发光二极管芯片与一承载基板，该发光二极管芯片配置于该承 载基板上，该发光二极管芯片具有朝向该承载基板的一底面、相对于该底 面的至少一顶面以及与该顶面相连的至少一侧壁，且该发光二极管芯片具 有配置于该顶面上的至少一电极；

于该承载基板上形成一连续性覆盖材料层；

移除部分该连续性覆盖材料层，以于该顶面上及部分该承载基板上形 成一覆盖层，以覆盖该电极；

于该承载基板上形成一连续性绝缘材料层，并覆盖该发光二极管芯 片；以及

移除该覆盖层以及该连续性绝缘材料层的位于该覆盖层上的部分，以 于该发光二极管芯片的该侧壁上形成一绝缘层。

7.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该连续 性绝缘材料层的方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、溅镀或电子束成 长。

8.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中该绝缘层的 材质包括含硅的氧化物。

9.如权利要求6所述的发光二极管结构的制作方法，其中该发光二极 管芯片包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光 层，其中该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之 间。