[发明专利]光致抗蚀剂去除用组合物和用其制造阵列基板的方法

说明书

本申请要求于2007年12月28日提交的韩国专利申请第2007-140687号的优先权，在此通过参考引入其全部内容。

技术领域

本申请涉及光致抗蚀剂去除用组合物和使用该组合物制造阵列基板的方法。

背景技术

通常，光刻工艺包括光学处理，所述光学处理包括将形成于掩模中或掩模上的图案转录至基板。该基板上可以设置有薄层，薄层的功能在下文中说明。光刻工艺可用于制造含有集成电路或大规模集成电路等的半导体装置、诸如液晶显示(LCD)装置或平板显示装置等显示装置，等等。

光刻工艺包括：在基材(base substrate)上涂布光敏性物质，在具有光致抗蚀剂的基材上设置掩模，使所述基材曝光并使所述光致抗蚀剂显影以形成光致抗蚀剂图案。通过采用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻形成于基材上的薄层，从而形成薄层图案。然后，采用剥离剂将所述光致抗蚀剂图案从基材上去除。

去除光致抗蚀剂图案的方法通常在较高的温度进行。例如，当用剥离剂在高温去除光致抗蚀剂图案时，剥离剂与形成于光致抗蚀剂图案下的薄层中的金属反应，从而腐蚀该薄层。为了解决上述问题，将常规剥离剂与缓蚀剂一起使用。

剥离剂的实例包括伯胺和仲胺，其中包括单乙醇胺、甲基乙醇胺等。伯胺和仲胺具有较低的沸点，使得所述伯胺和仲胺易于蒸发。因此，随着时间的流逝，剥离剂的组成可能会变化，并且剥离剂的重量可能会减小，使得在去除光致抗蚀剂图案的过程中需要频繁更换剥离剂。此外，如果剥离剂不包含缓蚀剂，则剥离剂中的伯胺和仲胺即使在仅有少量水的情况下也可能严重腐蚀金属薄层。

发明内容

此处公开了光致抗蚀剂去除用组合物，所述组合物能够防止和/或减少金属层的腐蚀，同时改善去除光致抗蚀剂的能力。

此处还公开了通过采用所述光致抗蚀剂去除用组合物来制造阵列基板的方法。

此处还公开了光致抗蚀剂去除用组合物，所述组合物包含：a)具有环胺和/或二元胺的胺化合物，b)乙二醇醚类化合物，c)缓蚀剂和d)极性溶剂。乙二醇醚类化合物可包括二乙二醇甲醚。极性溶剂可包括甲酰胺类化合物。

进一步公开了制造阵列基板的方法。在基材上形成第一金属层。在所述第一金属层上形成光致抗蚀剂图案。通过采用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来将所述第一金属层图案化。通过采用光致抗蚀剂去除用组合物将光致抗蚀剂图案从基材上去除，所述组合物包含：a)具有环胺和/或二元胺的胺化合物，b)乙二醇醚类化合物，c)缓蚀剂和d)极性溶剂。

所述组合物可进一步包含剥离助剂。

通过使用上述组合物，可以在去除光致抗蚀剂的过程中防止和/或减少在光致抗蚀剂下形成的金属层的腐蚀。因此，可改善制造工艺的可靠性。

此外，所述组合物可改善去除光致抗蚀剂的能力，从而减少制造时间。因而，可使成分的劣化最小化，使得可以延长更换组合物的间隔。因而，可改善装置的制造效率。

附图说明

通过结合附图详细说明示例性实施方式，所公开的实施方式的上述优势和其他优势将变得易于理解，在所述附图中：

图1和图2是说明栅极图案的形成方法的示例性剖面图；

图3是说明光致抗蚀剂去除用装置的示例性示意剖面图；

图4、图5和图6是说明源极图案形成工序的示例性剖面图；

图7是说明钝化层形成工序的示例性剖面图；和

图8是说明像素电极的形成工序的示例性剖面图。

具体实施方式

下文中参考附图对所公开的实施方式进行更充分的说明，附图中显示的是示例性实施方式。不过，本发明可以以许多不同的形式得到体现，不应理解为本发明局限于此处所列的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开文本更全面、更完善，并将本发明的范围完全展示于本领域技术人员。在附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能有所夸大。

应当理解，当提到一个要素或层在另一个要素或层“上”、与另一个要素或层“连接”时，所述一个要素或层可以直接在所述另一个要素或层上、直接与所述另一个要素或层连接，或者可以在所述一个要素或层与所述另一个要素或层之间存在间隔要素或层。相反，当提到一个要素或层“直接”在另一个要素或层“上”、与另一个要素或层“直接连接”时，它们之间不存在间隔要素或层。全文中，相同的数字表示相同的要素。如同此处所用，词语“和/或”包括一种以上相关列举项目的任何组合和所有组合。