[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，所述横向扩散金 属氧化物半导体元件包括：

一衬底；

具有一第一导电型的一深阱，位于所述衬底中；

具有一第二导电型的一阱，位于所述衬底中；

具有所述第一导电型的一源极区，位于所述阱中；

具有所述第一导电型的一漏极区，位于所述深阱中；

一沟道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述阱中；

具有所述第二导电型的多个掺杂层，位于所述沟道区与所述漏极区之间 的所述深阱中，使形成多个耗尽区域，以提高所述深阱的耗尽程度，且邻近 所述漏极区的所述深阱相较于所述深阱的其他部分具有较高的耗尽程度；以 及

一栅极，位于所述漏极区以及所述源极区之间的所述衬底上并且覆盖所 述沟道区。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述深阱中的耗尽区域的数目由邻近所述漏极区的所述深阱往邻近所述沟道 区的所述深阱递减。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 每一所述掺杂层与所述衬底的上表面之间的垂直距离不同。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述多个掺杂层的掺质浓度相同。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 每一所述掺杂层包括多个掺杂区块。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述衬底为具有所述第二导电型的衬底。

7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 当所述第一导电型为P型时，所述第二导电型为N型，当所述第一导电型为 N型时，所述第二导电型为P型。

8.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，所述横向扩散金 属氧化物半导体元件包括：

一衬底；

具有一第一导电型的一深阱，位于所述衬底中；

具有一第二导电型的一阱，位于所述衬底中；

具有所述第一导电型的一源极区，位于所述阱中；

具有所述第一导电型的一漏极区，位于所述深阱中；

一沟道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述阱中；

具有所述第二导电型的至少一掺杂层，位于所述沟道区与所述漏极区之 间的所述深阱中，使形成至少一耗尽区域，以提高所述深阱的耗尽程度，且 邻近所述漏极区的所述至少一掺杂层具有较高的掺质浓度，使邻近所述漏极 区的所述深阱相较于所述深阱的其他部分具有较高的耗尽程度；以及

一栅极，位于所述漏极区以及所述源极区之间的所述衬底上并且覆盖所 述沟道区。

9.如权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述至少一掺杂层的掺质浓度由邻近所述漏极区的所述深阱往邻近所述沟道 区的所述深阱递减。

10.如权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述至少一掺杂层包括多个掺杂区块。

11.如权利要求10所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述多个掺杂区块的掺质浓度随着其所在位置接近所述沟道区而下降。

12.如权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 所述衬底为具有所述第二导电型的衬底。

13.如权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于， 当所述第一导电型为P型时，所述第二导电型为N型，当所述第一导电型为 N型时，所述第二导电型为P型。