[发明专利]移位缓存装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种移位缓存装置，且特别是有关于一种具有抑制耦合噪声的能力的移位缓存装置。

背景技术

近年来，随着半导体科技蓬勃发展，便携型电子产品及平面显示器产品也随之兴起。而在众多平面显示器的类型当中，液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)基于其低电压操作、无辐射线散射、重量轻以及体积小等优点，随即已成为显示器产品的主流。也亦因如此，无不驱使着各家厂商针对液晶显示器的开发技术要朝向微型化及低制作成本发展。

为了要将液晶显示器的制作成本压低，已有部份厂商透过非晶硅工艺而直接在玻璃基板上制作多级非晶硅移位缓存器(a-Si shift register)，藉以来取代已知所惯用的栅极驱动器(gate driver)。如此一来，即可达到降低液晶显示器的制作成本。

然而，传统的非晶硅移位缓存器电路的输出信号(亦即扫描信号)稳定性较差，其很容易受到外部时脉信号的耦合而产生过大的噪声(可理解为耦合噪声)，从而导致错误的逻辑输出。传统为了要降低此耦合噪声所带来的影响，在每一非晶硅移位缓存器的电路结构中皆会设计一个较大的补偿电容以抑制此耦合噪声，但如此作法却会增加非晶硅移位缓存器的布局面积以及减弱非晶硅移位缓存器的输出能力。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种移位缓存装置，其同时兼备有抑制耦合噪声及高输出能力的特性。

本发明提供一种移位缓存装置，其包括多级彼此串接在一起的移位缓存器，且每一移位缓存器分别包括一上拉单元、一控制单元以及一下拉单元。

在本发明的一示范性实施例中，第i级移位缓存器的上拉单元会对应地接收一时脉信号与第(i-1)级移位缓存器所输出的一第一扫描信号，并据以提供一上拉信号以及决定是否输出一第二扫描信号。第i级移位缓存器的控制单元会接收所述时脉信号与所述上拉信号，并据以输出一第二控制信号。

第i级移位缓存器的下拉单元会耦接第i级移位缓存器的上拉单元与控制单元以及第(i-1)级移位缓存器的控制单元，用以接收并受控于所述第二控制信号、第(i-1)级移位缓存器的控制单元所输出的一第一控制信号，以及第(i+2)级移位缓存器所输出的一第四扫描信号。其中，当第i级移位缓存器不输出所述第二扫描信号时，第i级移位缓存器的下拉单元会致使第i级移位缓存器稳定输出一参考电压，i为大于等于2的正整数。

在本发明的一示范性实施例中，第i级移位缓存器的上拉单元包括第一晶体管与第二晶体管。其中，第一晶体管的栅极与其第一漏/源极耦接在一起，以接收所述第一扫描信号。第二晶体管的栅极耦接第一晶体管的第二漏/源极，第二晶体管的第一漏/源极用以接收所述时脉信号，而第二晶体管的第二漏/源极则用以输出所述第二扫描信号。

在本发明的一示范性实施例中，第i级移位缓存器的上拉单元更包括电容，其一端耦接第二晶体管的栅极，而其另一端则耦接至第二晶体管的第二漏/源极。

在本发明的一示范性实施例中，第i级移位缓存器的控制单元包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管，以及第六晶体管。其中，第三晶体管的栅极与其第一漏/源极耦接在一起，以接收所述时脉信号。第四晶体管的栅极用以接收所述上拉信号，第四晶体管的第一漏/源极耦接第三晶体管的第二漏/源极，而第四晶体管的第二漏/源极则用以接收所述参考电压。

第五晶体管的栅极耦接第三晶体管的第二漏/源极，第五晶体管的第一漏/源极耦接第三晶体管的第一漏/源极，而第五晶体管的第二漏/源极则用以输出所述第二控制信号。第六晶体管的栅极用以接收所述上拉信号，第六晶体管的第一漏/源极耦接第五晶体管的第二漏/源极，而第六晶体管的第二漏/源极则用以接收所述参考电压。

在本发明的一示范性实施例中，第i级移位缓存器的下拉单元包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管，以及第十一晶体管。其中，第七晶体管的栅极用以接收所述第二控制信号，第七晶体管的第一漏/源极耦接第二晶体管的栅极，而第七晶体管的第二漏/源极则用以接收所述参考电压。第八晶体管的栅极用以接收所述第二控制信号，第八晶体管的第一漏/源极耦接第二晶体管的第二漏/源极，而第八晶体管的第二漏/源极则用以接收所述参考电压。