[发明专利]移位缓存装置

权利要求书

1.一种移位缓存装置，其特征在于，所述的移位缓存装置包括：

多级彼此串接在一起的移位缓存器，每一移位缓存器分别包括一上拉单元、一控制单元以及一下拉单元，其中：

第i级移位缓存器的上拉单元会对应地接收一时脉信号与第i-1级移位缓存器所输出的一第一扫描信号，并据以提供一上拉信号以及决定是否输出一第二扫描信号；

第i级移位缓存器的控制单元会接收所述时脉信号与所述上拉信号，并据以输出一第二控制信号；以及

第i级移位缓存器的下拉单元会耦接第i级移位缓存器的上拉单元与控制单元以及第i-1级移位缓存器的控制单元，用以接收并受控于所述第二控制信号、第i-1级移位缓存器的控制单元所输出的一第一控制信号，以及第i+2级移位缓存器所输出的一第四扫描信号，其中当第i级移位缓存器不输出所述第二扫描信号时，第i级移位缓存器的下拉单元会致使第i级移位缓存器稳定输出一参考电压，i为大于等于2的正整数。

2.如权利要求1所述的移位缓存装置，其特征在于，第i级移位缓存器的上拉单元包括：

一第一晶体管，其栅极与其第一漏/源极耦接在一起，以接收所述第一扫描信号；以及

一第二晶体管，其栅极耦接所述第一晶体管的第二漏/源极，其第一漏/源极用以接收所述时脉信号，而其第二漏/源极则用以输出所述第二扫描信号。

3.如权利要求2所述的移位缓存装置，其特征在于，第i级移位缓存器的上拉单元更包括：

一电容，其一端耦接所述第二晶体管的栅极，而其另一端则耦接至所述第二晶体管的第二漏/源极。

4.如权利要求2所述的移位缓存装置，其特征在于，所述第一与所述第二晶体管分别为一N型晶体管。

5.如权利要求2所述的移位缓存装置，其特征在于，第i级移位缓存器的控制单元包括：

一第三晶体管，其栅极与其第一漏/源极耦接在一起，以接收所述时脉信号；

一第四晶体管，其栅极用以接收所述上拉信号，其第一漏/源极耦接所述第三晶体管的第二漏/源极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压；

一第五晶体管，其栅极耦接所述第三晶体管的第二漏/源极，其第一漏/源极耦接所述第三晶体管的第一漏/源极，而其第二漏/源极则用以输出所述第二控制信号；以及

一第六晶体管，其栅极用以接收所述上拉信号，其第一漏/源极耦接所述第五晶体管的第二漏/源极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压。

6.如权利要求5所述的移位缓存装置，其特征在于，所述第三至所述第六晶体管分别为一N型晶体管。

7.如权利要求5所述的移位缓存装置，其特征在于，第i级移位缓存器的下拉单元包括：

一第七晶体管，其栅极用以接收所述第二控制信号，其第一漏/源极耦接所述第二晶体管的栅极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压；

一第八晶体管，其栅极用以接收所述第二控制信号，其第一漏/源极耦接所述第二晶体管的第二漏/源极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压；

一第九晶体管，其栅极用以接收所述第四扫描信号，其第一漏/源极耦接所述第二晶体管的栅极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压；

一第十晶体管，其栅极用以接收所述第一控制信号，其第一漏/源极耦接所述第二晶体管的栅极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压；以及

一第十一晶体管，其栅极用以接收所述第一控制信号，其第一漏/源极耦接所述第二晶体管的第二漏/源极，而其第二漏/源极则用以接收所述参考电压。

8.如权利要求7所述的移位缓存装置，其特征在于，所述第七至所述第十一晶体管分别为一N型晶体管。

9.如权利要求7所述的移位缓存装置，其特征在于，更包括：

一初始控制单元，耦接第1级移位缓存器的下拉单元，若以每n个移位缓存器来循环接收n个时脉信号的条件下，用以接收一起始信号与第n级移位缓存器的上拉单元所对应接收的时脉信号，并据以输出一初始控制信号给第1级移位缓存器的下拉单元中的第十与第十一晶体管，其中n为大于等于3的正整数。