[发明专利]制造磁盘单元的方法无效

专利信息
申请号: 200810182003.6 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101447191A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 赤城协;石渡谦介;河野敬;武市淳;黑木贤二;祝迫俊彦 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/596 分类号: G11B5/596;G11B33/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 制造 磁盘 单元 方法
【权利要求书】:

1.一种制造磁盘单元的方法,该磁盘单元包括容纳于气密密封的机壳中的存储数据的磁盘、写和读取所述数据的磁头、以及相对于所述磁盘移动所述磁头的致动器,所述机壳具有用于其内外之间连通的气体入口和气体出口,所述气体入口和气体出口具有附着到其上的各自的过滤器,其中所述方法包括通过检测提供到所述气体入口的具有比空气低的密度的低密度气体的质量流速且根据这样检测的流速控制提供到所述气体入口的所述低密度气体的质量流速,经所述气体入口用所述低密度气体填充所述机壳的步骤。

2.如权利要求1所述的制造磁盘单元的方法,其中所述填充步骤还通过检测提供到所述气体入口的所述低密度气体的压强且根据这样检测的所述低密度气体的流速和压强控制提供到所述气体入口的所述低密度气体的质量流速来实现。

3.如权利要求2所述的制造磁盘单元的方法,其中根据已检测的所述低密度气体的质量流速和压强以及下面给出的公式1控制提供到所述气体入口的所述低密度气体的质量流速,使得所述机壳内的压强维持在预定水平,

公式1

Q1=cπ4din22(P1-P2)ρ]]>

其中Q1是提供到所述气体入口的所述低密度气体的质量流速,c是流速常数,din是所述气体入口的直径,P1是提供到所述气体入口的所述低密度气体的压强,P2是所述气密密封的机壳中的压强,P1-P2是由于附着到所述气体入口的过滤器引起的压强损失,ρ是气体密度。

4.如权利要求3所述的制造磁盘单元的方法,其中提供到所述气体入口的所述低密度气体的质量流速被控制,使得所述气密密封的机壳中的压强高于所述气密密封的机壳外的压强。

5.如权利要求1所述的制造磁盘单元的方法,其中所述填充步骤通过从公共供应源经分配通道提供所述低密度气体到多个所述机壳,检测提供到多个所述机壳的所述低密度气体的总质量流速,以及根据多个所述机壳的数量集体控制提供到多个所述机壳的所述低密度气体的总质量流速来实现。

6.如权利要求1所述的制造磁盘单元的方法,其中当多个所述机壳的数量在提供所述低密度气体期间改变时,所述填充步骤通过逐渐使实际总质量流速达到提供到多个所述机壳的所述低密度气体的所述总质量流速来实现。

7.如权利要求1所述的制造磁盘单元的方法,其中在向所述气体入口提供所述低密度气体期间,所述填充步骤通过根据依赖于所述机壳中的所述低密度气体的浓度而变化的指数评估所述机壳中的所述低密度气体的浓度来实现。

8.如权利要求7所述的制造磁盘单元的方法,其中所述指数是提供到转动所述磁盘的马达的驱动电流的大小。

9.如权利要求7所述的制造磁盘单元的方法,其中所述气密密封的机壳以这样的方式被填充以低密度气体,即,所述低密度气体被引入到所述气密密封的机壳中时发生的所述驱动电流随时间的变化速度大于当所述气密密封的机壳中的温度改变时发生的所述驱动电流随时间的变化速度。

10.如权利要求7所述的制造磁盘单元的方法,其中所述填充步骤通过在开始引入所述低密度气体之前关闭除了所述气体入口和所述气体出口之外的允许所述机壳内外之间连通的任何间隙来实现。

11.如权利要求1所述的制造磁盘单元的方法,其中所述填充步骤通过在所述低密度气体被引入到所述气密密封的机壳中时转动所述磁盘来实现。

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