[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 200810181252.3 | 申请日: | 2008-11-18 |
公开(公告)号: | CN101447544A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 森冈达也 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/075;H01L21/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光元件,包括发光二极管芯片和第1树脂部,其中,该第1 树脂部含有荧光体并包覆上述发光二极管芯片,且发出具有由上述发光二 极管芯片和荧光体所决定的第一色度的光,该发光元件的特征在于:
在上述第1树脂部的表面上色度相对较小的位置上形成有光散射部, 该光散射部使由发光二极管芯片发出的光的一部分发生散射,并使光返 回,以激励上述第1树脂部含有的上述荧光体,
上述光散射部由其中含有光散射材料的第2树脂部构成,
所述第1树脂部含有的荧光体的量使得在光散射部形成之前的发光元 件的色度分布最大值小于目标色度。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于:
上述第1树脂部被反射部包围,该反射部形成有对光发生反射的表面。
3.一种发光元件制造方法,其中,上述发光元件包括发光二极管芯 片和第1树脂部,该第1树脂部含有荧光体并包覆上述发光二极管芯片, 该发光元件制造方法的特征在于,
包括:光散射部形成步骤,在上述第1树脂部的表面上色度相对较小 的位置上形成光散射部,该光散射部使由发光二极管芯片发出的光的一部 分发生散射,并使光返回,以激励上述第1树脂部含有的上述荧光体,
上述光散射部由其中含有光散射材料的第2树脂部构成,
所述第1树脂部含有的荧光体的量使得在光散射部形成之前的发光元 件的色度分布最大值小于目标色度。
4.根据权利要求3所述的发光元件制造方法,其特征在于:
包括检测步骤,对由上述第1树脂部的表面出射的光的色度进行检测;
在上述光散射部形成步骤中,根据在上述检测步骤中检测出的色度, 对形成的光散射部的光散射量进行调整。
5.根据权利要求4所述的发光元件制造方法,其特征在于:
在上述光散射部形成步骤中,根据在上述检测步骤中检测出的色度来 调整上述第2树脂部的厚度。
6.根据权利要求4所述的发光元件制造方法,其特征在于:
在上述光散射部形成步骤中,根据在上述检测步骤中检测出的色度来 调整上述第2树脂部含有的上述光散射材料的量。
7.根据权利要求4所述的发光元件制造方法,其特征在于: 在上述光散射部形成步骤中,根据在上述检测步骤中检测出的色度来调整
上述第1树脂部的表面中的上述第2树脂部的形成面积。
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