[发明专利]有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置有效
申请号: | 200810180928.7 | 申请日: | 2008-11-18 |
公开(公告)号: | CN101442068A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 武井周一;二村彻;内田昌宏 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光装置,其特征在于,具备:
划分第一区域、第1第二区域和第2第二区域的由有机材料构成的 第1隔壁;
配置于所述第一区域的第一有机膜;
配置于所述第1第二区域的第二有机膜;和
配置于所述第2第二区域的第三有机膜,
在被所述第1隔壁划分的所述第一区域内,具有用于发光的像素, 即沿着第一排列轴连续配置的多个有效像素,所述多个有效像素被由无 机绝缘材料构成的第2隔壁划分,
所述多个有效像素中的一个具有:有效像素电极、共用电极、和在 所述有效像素电极与所述共用电极之间配置的所述第一有机膜,
所述第1第二区域和所述第2第二区域隔着所述第一区域对置配 置,并且所述第一区域、所述第1第二区域和所述第2第二区域沿着所 述第一排列轴配置,
所述第一区域中还具有不用于发光的像素,即沿着所述第一排列轴 配置的第一虚设像素和第二虚设像素,所述第一虚设像素和第二虚设像 素被由无机绝缘材料形成的第2隔壁划分,
所述多个有效像素配置在所述第一虚设像素和所述第二虚设像素 之间,
所述第一虚设像素具有第四有机膜,所述第二虚设像素具有第五有 机膜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,
所述第一虚设像素还具有第一虚设像素电极和所述共用电极,
所述第二虚设像素还具有第二虚设像素电极和所述共用电极,
所述第四有机膜配置在所述第一虚设像素电极和所述共用电极之 间,
所述第五有机膜配置在所述第二虚设像素电极和所述共用电极之 间。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,
所述多个有效像素具有:配置在所述第一虚设像素的旁边的第一有 效像素、配置在所述第一有效像素的旁边的第二有效像素、配置在所述 第二有效像素的旁边的第三有效像素和配置在所述第三有效像素的旁 边的第二虚设像素,
所述第一虚设像素与所述第一有效像素之间的距离、所述第一有效 像素与所述第二有效像素之间的距离、所述第二有效像素与第三有效像 素之间的距离以及所述第三有效像素与所述第二虚设像素之间的距离 都相同。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光装置,其特征在于,
所述多个有效像素具有:配置在所述第一虚设像素的旁边的第一有 效像素、配置在所述第一有效像素的旁边的第二有效像素、配置在所述 第二有效像素的旁边的第三有效像素和配置在所述第三有效像素的旁 边的第二虚设像素,
所述第一虚设像素与所述第一有效像素之间的距离、所述第一有效 像素与所述第二有效像素之间的距离、所述第二有效像素与第三有效像 素之间的距离以及所述第三有效像素与所述第二虚设像素之间的距离 都相同。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的有机电致发光装置,其特 征在于,
所述第一有机膜、所述第二有机膜和所述第三有机膜由同样的材料 形成。
6.根据权利要求1~4中任意一项所述的有机电致发光装置,其特 征在于,
所述第一有机膜、所述第二有机膜、所述第三有机膜、所述第四有 机膜和所述第五有机膜由同样的材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的