[发明专利]发光二极管模组反射壁的成型方法无效
申请号: | 200810180002.8 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101740400A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李建国;刘木莲;汤茹安 | 申请(专利权)人: | 亚德光机股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;F21V7/00 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 模组 反射 成型 方法 | ||
技术领域
本发明有关一种发光二极管模组反射壁的成型方法,旨在提供一种可形成较精密且窄间距反射壁结构的成型方法,并可简化加工步骤以及降低开发成本。
背景技术
按,传统在科技尚未发达的时代中,都是以简单的单色灯泡作为灯具的发光源,如果希望达到色彩的变化,则配合一具有颜色且能透过光线的灯罩,使得灯泡发出的光线在透出灯罩后,能形成不同的颜色,可是此种灯具结构的缺点就是反应动作慢、耗电、易发热且寿命短,再者于灯泡坏了的后,就不再提供照明的功能,而且灯泡发出的光线必须透出灯罩,使得光线的亮度会下降。
所以近年来越来越多的灯具,已陆续将发光源从传统的灯泡,改成了发光二极管(Light Emitting Diode,LED),举凡马路上的红绿灯、手电筒、装饰灯等等,都已经改用发光二极管来发光,至于车用灯具如汽车尾灯和煞车灯等等,也早已大量采用发光二极管,这是因为发光二极管具有低耗能、省能源、寿命长、耐用、耐震、体积小、反应快等优点,尤其是发光二极管不易发热、属于冷光发光的发光体。
而上述所成型的发光二极管具有特定的发光角度,若欲改变该发光二极管的发光角度,一般于该发光二极管上外加一反射组件,而使该光线透过二次光学作用,以改变其发光角度;其中,市面上常见的反射组件制造方法约有二种,第一种藉由射出成型方式制成,其先制备公模及母模,利用公模及母模合模后所形成的合模空间注入塑料而形成具有倾斜壁面的半成品,最后再于该倾斜壁面镀膜而形成反射壁面,以完成反射组件的成品;惟,上述的制造方法具有下列缺点:
1、制备公模及母模等模具成本较高,进而使得由该发光二极管所制成的产品,例如照明模组的单价较高。
2、产品无法薄型化,若产品需薄型化时,该公模及母模的精密度须提升,且模具强度不佳,进而令该模具使用寿命减短。
而另种反射组件的制造方法利用金属辊压方式成型,其先制备一表面具有图案的辊压轮,藉由该辊压轮于铝材质或白铁材质的片体上进行辊压,以形成具有倾斜反射壁面的反射组件;惟,此制造方法同样具有产品无法精密或小型化的缺点。
发明内容
本发明的主要目的即在提供一种可形成较精密且窄间距反射壁结构的成型方法。
为达上述目的,本发明发光二极管模组反射壁的成型方法,藉由抽真空成型方式将基材,贴附于成型模具上进行壁面的成型,再于该壁面形成反射膜以完成反射壁的成品,该反射壁不仅可供发光二极管的光源反射以改变其光线路径,以提升亮度及光表现,且藉由本发明的成型方法可形成较精密且窄间距排列的反射壁结构,可供复数发光二极管排列密集以达到均光的效果,且并可使该光线透过反射壁的作用,以改变其发光角度,且该反射壁可以为聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)等塑料材质。
附图说明
图1为本发明中反射壁成型方法的流程示意图;
图2为本发明中成型模具与基材的结构示意图;
图3为本发明中成型模具与基材抽真空后的结构示意图;
图4为本发明中进行冲孔成型步骤的结构示意图;
图5为本发明中第一实施例反射壁的结构示意图;
图6为本发明中第二实施例反射壁的结构示意图;
图7为本发明中第二实施例反射壁的结构示意图;
图8为本发明中成型方法所形成的反射壁运用于发光二极管的结构示意图;
图9为本发明中发光二极管以及反射壁形成精密排列的结构示意图。
【图号说明】
基板11 凹杯12
电路13 晶粒14
导线15 封胶16
成型模具2 预成型部件21
间距211 边侧部22
顶部23 基材3
反射壁3′ 壁面31
开口部32 底面33
顶面34 反射膜35
发光二极管41 电路板42
具体实施方式
本发明的特点,可参阅本案图式及实施例的详细说明而获得清楚地了解。
本发明旨在提供一种发光二极管模组反射壁的成型方法,如图1所示,其至少包含下列步骤;
步骤A、提供一成型模具2,该成型模具2上设有复数个具有适当间距211的预成型部件21,请同时参阅图2的第一实施例所示,该预成型部件21突出于成型模具2的表面,该预成型部件21并设有突起的边侧部22以及一设于顶端的顶部23;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造