[发明专利]发光二极管模组反射壁的成型方法无效
| 申请号： | 200810180002.8 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740400A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李建国;刘木莲;汤茹安 | 申请（专利权）人： | 亚德光机股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;F21V7/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 模组 反射 成型 方法 | ||
1.一种发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，其至少包含下列步骤；
A、提供一成型模具，该成型模具上设有复数具有适当间距的预成型部件；
B、提供一基材；
C、进行抽真空步骤，使该基材朝成型模具贴附，并使该基材形成相对应各预成型部件的复数壁面，以及相对应各间距的底面；
D、冲孔成型步骤，于各底面进行冲孔而形成至少一开口部；
E、形成反射膜步骤，于各壁面形成反射膜以完成反射壁的成品。
2.如权利要求1所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该预成型部件突出于成型模具的表面，该预成型部件并设有突起的边侧部以及一设于顶端的顶部。
3.如权利要求2所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该基材的壁面相对于该边侧部的形状。
4.如权利要求2所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该边侧部可以形成倾斜、垂直或抛物线的形状。
5.如权利要求1所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该B步骤可进一部对该基材进行预热。
6.如权利要求1所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该步骤D可同时进行切断步骤。
7.如权利要求1所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该步骤E后可进一步进行切断步骤。
8.如权利要求1所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该基材可以为聚苯乙烯、聚丙烯的塑料材质。
9.如权利要求1所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该步骤D可以为真镀、蒸镀或溅镀将反射膜设于倾斜壁面上。
10.如权利要求9所述发光二极管模组反射壁的成型方法，其特征在于，该反射膜可以为金属材质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
