[发明专利]半导体装置制造用粘合薄片、半导体装置及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2006年03月28日、申请号为200610066402.7、发 明名称为“半导体装置制造用粘合薄片、半导体装置及其制造方法”的申 请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体装置制造用粘合薄片、半导体装置及其制造方 法。

本申请主张于2005年3月30日提交的日本专利申请第2005- 099481号、2005年10月31日提交的日本专利申请第2005-316560号及 日本专利申请第2005-316561号的优先权，其内容引用在本文中。

背景技术

近年来，伴随手提型个人计算机、手提电话等电子器件的小型化、 多功能化，除了要求构成电子器件的电子部件小型化、高集成化之外， 电子部件的高密度封装技术也是必要的。在这种背景下，代替现有QFP (Quad Flat Package)和SOP(Small Outline Package)等外围封装型半 导体装置，开始着眼于可高密度封装的所谓CSP(Chip Scale Package) 等面封装型半导体装置。而且，由于在CSP中、特别是QFN(Quad Flat Non-leaded)可采用现有半导体装置制造技术进行制造，因此主要用 于100管脚(pin)或100管脚以下的少端子型半导体装置。

作为QFN的制造方法，已知以下方法。

首先，在引线框的一侧表面贴合粘合薄片(粘合薄片贴合工序)， 在引线框上形成的多个半导体元件搭载部(芯片座(die pad)部)分 别搭载IC芯片等半导体元件(芯片粘合(die attach)工序)。然后， 将沿引线框的各半导体元件搭载部的外周配设的多条引线和半导体元 件由接合线(bonding wire)电连接(引线接合(wire bonding)工序)。 接下来，用封装树脂封装搭载在引线框上的半导体元件(树脂封装工 序)。将粘合薄片从引线框上剥离(粘合薄片剥离工序)，从而可以 形成排列有多个QFN的QFN单元。最后，沿各QFN的周边将QFN单元 切割开来(切割工序)，由此同时制成多个QFN。

特开2002-184801号公报及特开2000-294579号公报中的QFN的 制造方法中利用使用了硅类粘合剂或丙烯酸类粘合剂的粘合薄片。但 是，使用硅类粘合剂或丙烯酸类粘合剂时，有时发生起因于粘合剂的 溢料(mould flash)。另外，有时因加热而由粘合薄片的粘合剂产生 逸出气体成分。该逸出气体成分附着在引线框表面，有时引起接合线 的接合不良。另外，也可能引起引线框和封装树脂的密合性降低。从 而可能使半导体装置制造的成品率降低、可靠性降低。

为了改善上述问题，特开2003-336015号公报中提出了使用热固 化型粘合剂的粘合带。

发明内容

通常，在引线接合工序前实施等离子清洗，除去附着在表面的杂 质，进一步提高引线接合特性。

但是，采用使用上记热固化型粘合剂的现有半导体装置制造用粘 合薄片时，粘合薄片的露出面表层因等离子清洗而粗化，剥离半导体 用粘合薄片时，有可能发生粘合剂向半导体装置的连接端子、封装树 脂面(以下称为“胶残留”)移动。如果发生上述胶残留，则粘合剂 附着在由封装树脂封装的部分、或位于其近傍的引线的外部连接端子， 可能导致制造的半导体装置发生导通不良。

本发明解决了上述课题，其目的在于提供一种半导体装置制造用 粘合薄片、半导体装置及其制造方法，上述半导体装置制造用粘合薄 片抑制因使用硅类粘合剂等而产生的逸出气体成分的发生，同时在用 于QFN等半导体装置的制造时，能够维持热固化型粘合剂具有的优良 的引线接合性及溢料特性，同时防止胶残留，从而可以防止半导体装 置的不良品化。

另外，其目的还在于提供一种半导体装置制造用粘合薄片，该半 导体装置制造用粘合薄片即使在引线接合工序前不实施等离子清洗、 引线接合特性也良好，能够获得引线框和封装树脂的密合性优良、可 靠性优良的半导体装置。

本发明为了实现上述目的，提供第一半导体装置制造用粘合薄片， 是可剥离地贴合在半导体装置的引线框或配线基板上的半导体装置制 造用粘合薄片，其特征为，具备基材和粘合剂层，上述粘合剂层含有 热固性树脂成分(a)、热塑性树脂成分(b)和氟类添加剂(c)。