[发明专利]半导体装置制造用粘合薄片、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200810177765.7 | 申请日: | 2006-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN101445707A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
| 发明(设计)人: | 佐藤健;桥本展宏;山井敦史 | 申请(专利权)人: | 株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;C09J127/12;C09J125/08;H01L21/00;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 制造 粘合 薄片 及其 方法 | ||
1.一种半导体装置制造用粘合薄片,是可剥离地贴合在半导体装 置的引线框或配线基板上的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为,
具备基材和粘合剂层,
所述粘合剂层含有氟树脂和反应性弹性体,
所述基材为由耐热性树脂膜或金属箔形成的基材,
所述氟树脂为由具有官能团的含氟烯烃类树脂形成的氟树脂,所 述氟树脂相对于粘合剂层100质量份为5~40质量份,
所述反应性弹性体为由选自下述物质中的1种或2种以上形成的反 应性弹性体:
含羧基的苯乙烯-丁二烯共聚物、含羧基的苯乙烯-异戊二烯共 聚物、含羧基的苯乙烯-丁二烯饱和共聚物、含羧基的苯乙烯-异戊 二烯饱和共聚物、含羧基的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、含 羧基的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯饱和共聚物、含羧基的丙烯腈- 丁二烯共聚物、氨基改性多元醇树脂、氨基改性苯氧树脂、氨基改性 丙烯腈-丁二烯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、 含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物、含氢化羧基的丙烯腈-丁二烯共聚 物、含羧基的丙烯酸橡胶、含有马来酸酐的苯乙烯-丁二烯共聚物、 含有马来酸酐的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、羟基末端饱和 共聚聚酯树脂、羧基末端饱和共聚聚酯树脂、含环氧基的苯乙烯类嵌 段共聚物、含有马来酸酐的苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物及含有马来酸 酐的苯乙烯-乙烯-丁二烯共聚物,
其中,所述反应性弹性体相对于粘合剂层100质量份为30~95质量 份。
2.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 所述粘合剂层含有热固性树脂成分(a1)和热塑性树脂成分(b1), 该热固性树脂成分(a1)和热塑性树脂成分(b1)中的任一种为含有 氟的烯烃类树脂。
3.如权利要求2所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 所述粘合剂层的热固性树脂成分(a1)及热塑性树脂成分(b1)的质 量比(a1)/(b1)为0.05~0.43。
4.如权利要求2所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 热塑性树脂成分(b1)的质量平均分子量为2,000~1,000,000。
5.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 所述粘合剂层固化后的储能模量在150~250℃时为0.1MPa或0.1MPa 以上。
6.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 固化后的所述粘合剂层在150~200℃时粘合强度为0.03~5N/cm。
7.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 所述基材为玻璃化温度为150℃或150℃以上、热膨胀系数为5~ 50ppm/℃的耐热性膜。
8.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 所述基材为热膨胀系数为5~50ppm/℃的金属箔。
9.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 所述氟树脂为含有氟烯烃和乙烯基醚的单体原料聚合而成的共聚物及 /或含有氟烯烃和乙烯基酯的单体原料聚合而成的共聚物。
10.如权利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片,其特征为, 在粘合剂层的单面上设置保护膜。
11.一种半导体装置,其特征为,该半导体装置是使用权利要求1 所述的半导体装置制造用粘合薄片制成的。
12.一种半导体装置的制造方法,其特征为,该制造方法使用权 利要求1所述的半导体装置制造用粘合薄片进行制造。
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