[发明专利]具背侧保护结构的半导体组件封装结构及其方法

说明书

技术领域

本发明是有关于半导体组件封装结构，特定而言是有关于具背侧保护结构的半导体组件封装结构及其方法，藉以保护封装本体及改良可靠度。

背景技术

近年来，高科技电子制造业推出更具特征且更为人性化的电子产品。半导体科技的快速成长已促使半导体封装尺寸缩小、适用多接脚、细间距、电子组件缩小等的快速进展。

因为传统封装技术必须将晶片(wafer)上的管芯(die)分割成各别的管芯且接着各别封装所述管芯，故此类技术对于制造程序而言系为耗时。因芯片封装技术是大为受到集成电路发展的影响，故当电子装置的尺寸变为高要求时，封装技术也是如此。由于上述的理由，封装技术的趋势是朝向现今的锡球阵列(ball grid array，BGA)、覆晶锡球阵列(flip chip ball grid array，FC-BGA)、芯片尺寸封装(chip scale package，CSP)及晶片级封装(wafer level package，WLP)。“晶片级封装”是被了解为晶片上整体封装、所有互连及其它程序步骤是于分离成管芯之前施行。通过晶片级封装技术，可生产出具有极微型尺寸及良好电子特性的管芯。虽晶片级封装技术有上述优点，然而仍存在若干影响晶片级封装技术的接受度的问题。传统上需要于单一封装结构中具有多个芯片，故封装结构尺寸会随多芯片的数量或整体高度而增加，因此工艺遂更加复杂。

图1是显示美国专利申请案第6,023,094号及第6,175,162号所揭露的具下表面保护涂布的已知封装的横切面示意图。封装结构200包括管芯102，其具有下表面104及上表面108。封装结构200还包括保护膜210，其形成于管芯102的下表面104上以覆盖下表面104，以及多个凸块106，其形成于管芯102的上表面108上。此外，保护膜210的尺寸与管芯102的尺寸相同。保护膜210具有约0.2的低热传导系数，以及约1.5至5密耳(mil)的厚度。是故，封装结构200的尺寸是藉此累积而增厚，且相等于每一材料层的总和尺寸。而每一材料层之间的热传导系数差对于材料层间的微弱黏着力影响甚巨。

再者，保护膜210的材料通常包括环氧树脂(epoxy)或橡胶材料。当环氧树脂材料用作为保护膜210时，为提供适当保护，环氧树脂必须较其它层为厚，乃因其本身材料特性。然而，保护层210将会太厚而于工艺步骤期间产生形变，且极易于切割期间或外力时产生破裂的情况。若橡胶材料用作为保护膜210时，保护膜210的硬度则通常不足以保护封装结构200。此外，制造封装结构的工艺也变为越趋复杂且高成本。总而言之，保护膜210的厚度或硬度是极为重要且是不足以保护封装结构。

鉴于以上所述，现今极需一崭新的结构以克服上述缺失。

发明内容

本发明将以若干较佳实施例加以详细描述。然而，本领域的技术人员应得以领会，除说明书中的较佳实施例之外，本发明也可广泛实行于其它实施例。本发明的范围并不受限于说明书中的较佳实施例，且应与下列权利要求相一致。

本发明的一目的是为提供具背侧保护结构的半导体组件封装结构，其可保护封装结构免于受到外力破坏。

本发明的另一目的是为提供具背侧保护结构的半导体组件封装结构，其解决工艺期间的破裂及变形问题。

本发明的又另一目的是为提供具背侧保护结构的半导体组件封装结构，期可降低成本且改善可靠度。

本发明的再另一目的是为提供具背侧保护结构的半导体组件封装结构，其可简易地于半导体组件封装的上表面实施激光标记。

本发明是提供半导体组件封装结构，包括管芯，其具有背表面及有源表面形成于其上；黏胶层(adhesive layer)，其形成于管芯的背表面上；保护基板，其形成于黏胶层上；以及多个凸块，其形成于管芯的有源表面上，以用于电连接。

本发明提供用于形成半导体组件封装结构的方法，其包括提供一具有背表面及有源表面的多个管芯的晶片；于上述管芯的背表面上形成黏胶层；于上述黏胶层上形成保护基板；于上述管芯的有源表面上形成多个凸块；以及将多个管芯切割成单独管芯以将其单一化。

本发明提供的具有背侧保护结构的半导体组件封装结构，其可于工艺期间保护封装结构以降低成本并改善可靠度。本发明亦提供一种崭新结构及方法，其于形成保护基板后不会有破裂或变形问题。因此，本发明所揭露的芯片尺寸封装结构可提供现有技术所无法预期的效果，并解决现有技术的问题。本结构可应用于晶片或面板工业，且也可运用并修改成其它相关应用。

附图说明