[发明专利]一种半导体封装件的结构以及其制法有效
| 申请号： | 200810174793.3 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101740404B | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 詹长岳;黄建屏;张锦煌;黄致明 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件的制法，其特征在于，包括：
提供一具有相对的第一表面和第二表面的强化件，且该强化件具有一开口；
在该强化件的第一表面上接置多个导脚，并将一具有相对的上表面和下表面的基板通过其上表面结合至该强化件的第二表面上，且该开口露出部分该基板的上表面作为置晶区；
将芯片接置于该置晶区，并以焊线方式电性连接该芯片至该基板与该导脚；
进行封装模压作业，以使封装胶体包覆该基板、芯片、强化件与导脚，且该封装胶体与该基板的下表面齐平，用以外露该下表面并设置多个导电元件于该下表面上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于：该封装模压作业通过一具有上、下模的模具进行，且该下模的模腔深度小于该第一表面至该下表面的距离，用以避免封装胶体溢流至该下表面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于：该导电元件为锡球。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于：该导脚与该强化件是以环氧树脂或聚亚酰胺的其中之一者粘合。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于：该强化件与该基板的上表面是以环氧树脂或聚亚酰胺的其中之一者粘合。
6.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
基板，具有一相对的上表面及下表面；
强化件，接置于该基板的上表面并具有开口，且该开口露出部分该基板作为置晶区；
多个导脚，接置于该强化件上；
芯片，接置于该基板的置晶区上；
焊线，电性连接该芯片至该导脚与该基板；
封装胶体，形成于该基板、芯片、强化件与导脚之间，并切齐于该基板的下表面，用以包覆该基板、芯片、强化件、焊线与导脚并露出该基板的下表面。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于：该基板的下表面上设置有多个导电元件，藉以供该芯片与外界装置形成电性连接关系。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于：该导电元件为锡球。
9.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于：该导脚与该强化件是以环氧树脂或聚亚酰胺的其中之一者粘合。
10.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于：该强化件与该基板的上表面是以环氧树脂或聚亚酰胺的其中之一者粘合。
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