[发明专利]半导体芯片和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

半导体衬底；

在半导体衬底上的多层布线结构，包括在半导体衬底上的密封环结构；以及

在所述半导体芯片的内部区域中并且在所述半导体芯片的边框区域中布置的半导体元件，

其中，半导体元件包括芯片内部电路元件，所述内部区域被所述密封环结构围绕，并且所述密封环结构将所述边框区域隔离在所述内部区域之外。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，布置在所述边框区域中的所述半导体元件包括金属氧化物半导体晶体管、金属氧化物半导体电容器、扩散层电阻器、栅电极电阻器、硅化物电阻器和二极管中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，布置在所述边框区域中的所述半导体元件被所述半导体衬底的上层的元件保护膜和所述半导体衬底中的至少一个覆盖，在所述元件保护膜的上层上形成的、包括有所述多层布线结构的层间绝缘膜的主层包含不同于所述元件保护膜的材料，并且所述层间绝缘膜的所述主层包括低介电常数膜。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，布置在所述边框区域中的所述半导体元件被所述半导体衬底的上层的元件保护膜和所述半导体衬底中的至少一个覆盖，在所述元件保护膜的上层上形成的、包括有所述多层布线结构的层间绝缘膜的主层包含不同于所述元件保护膜的材料，并且所述层间绝缘膜的所述主层包括低介电常数膜。

5.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中，元件保护膜包括由SiO、SiC、SiCN、SiON和SiN中任一种制成的单膜和叠膜之一。

6.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中，密封环结构包括框体区域和变薄区域，由低介电常数膜形成的所述层间绝缘膜形成在所述框体区域中，所述元件保护膜形成在所述变薄区域中，传导层以框体形式围绕所述内部区域形成并且在所述框体区域中在膜厚度方向上叠加地形成，以及，所述传导膜间断地形成在所述变薄区域中。

7.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，密封环结构包括框体区域和变薄区域，由低介电常数膜形成的所述层间绝缘膜形成在所述框体区域中，所述元件保护膜形成在所述变薄区域中，传导层以框体形式围绕所述内部区域形成并且在所述框体区域中在膜厚度方向上叠加地形成，以及，所述传导膜间断地形成在所述变薄区域中。

8.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中，所述半导体衬底和在所述框体区域中的传导膜的至少一部分电连接。

9.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中，用于将所述内部区域和形成在所述边框区域中的所述半导体元件相连接的布线包括在所述低介电常数膜以下形成的布线。

10.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，用于将所述内部区域和形成在所述边框区域中的所述半导体元件相连接的布线包括在所述低介电常数膜以下形成的布线。

11.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中，用于将所述内部区域和形成在所述边框区域中的所述半导体元件相连接的布线包括在所述低介电常数膜以下形成的布线。

12.根据权利要求8所述的半导体芯片，其中，用于将所述内部区域和形成在所述边框区域中的所述半导体元件相连接的布线包括在所述低介电常数膜以下形成的布线。

13.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，布线包括扩散层、多晶半导体层、铝基布线、铜基布线和硅化物布线中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，密封环结构包括多个密封环结构中的一个密封环结构，每个密封环结构沿所述半导体衬底的外围形成。

15.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，密封环结构包括多个密封环结构中的一个密封环结构，每个密封环结构沿所述半导体衬底的外围形成。

16.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，半导体元件包括多个半导体元件中的一个，其中，在构成所述边框区域的至少两侧的每侧处分别布置所述多个半导体元件中的半导体元件。

17.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，半导体元件包括多个半导体元件中的一个，其中，在构成所述边框区域的至少两侧的每侧处分别布置所述多个半导体元件中的半导体元件。