[发明专利]SOI衬底的制造方法

权利要求书

1.一种制造SOI衬底的方法，包括如下步骤：

准备单晶半导体衬底以及支撑衬底；

在所述单晶半导体衬底上形成氧化物膜；

通过透过所述氧化物膜对所述单晶半导体衬底照射被加速的离 子，在距所述单晶半导体衬底的表面的预定深度处形成剥离层；

在对所述单晶半导体衬底照射所述离子之后，在所述氧化物膜上 形成含有氮的层；

使所述单晶半导体衬底与所述支撑衬底彼此相对设置，以使所述 含有氮的层的表面与所述支撑衬底的表面彼此接合；以及

通过加热所述单晶半导体衬底使其沿着所述剥离层分离，由此在 所述支撑衬底上中间隔着所述氧化物膜以及所述含有氮的层形成单 晶半导体层。

2.根据权利要求1所述的制造SOI衬底的方法，

其中，所述含有氮的层是使用等离子体CVD法，并引入氢气在 衬底温度为室温以上且350℃以下形成的。

3.根据权利要求2所述的制造SOI衬底的方法，

其中，所述等离子体CVD法是在引入所述氢气的基础上还引入 硅烷气以及氨气而进行的。

4.根据权利要求1所述的制造SOI衬底的方法，

其中，所述氧化物膜是通过在含有氯化氢的氧化性气氛下对所述 单晶半导体衬底进行热氧化处理而形成的。

5.根据权利要求1所述的制造SOI衬底的方法，

还包括：在使所述含有氮的层的表面与所述支撑衬底的表面彼此 接合之后，进行加热处理及加压处理。

6.根据权利要求1所述的制造SOI衬底的方法，

其中，使用单晶硅衬底作为所述单晶半导体衬底。

7.根据权利要求1所述的制造SOI衬底的方法，

其中，使用表面的平均面粗糙度为0.3nm以下的玻璃衬底作为 所述支撑衬底。

8.一种制造SOI衬底的方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成氧化物膜；

在所述氧化物膜上形成含有氮的层；

通过透过所述氧化物膜和所述含有氮的层对所述单晶半导体衬 底照射被加速的离子，在距所述单晶半导体衬底的表面的预定深度处 形成剥离层；

使所述单晶半导体衬底与支撑衬底彼此相对设置，以使所述含有 氮的层的表面与所述支撑衬底的表面彼此接合；以及

通过加热所述单晶半导体衬底使其沿着所述剥离层分离，由此在 所述支撑衬底上中间隔着所述氧化物膜以及所述含有氮的层形成单 晶半导体层。

9.根据权利要求8所述的制造SOI衬底的方法，

其中，所述含有氮的层是使用等离子体CVD法，并引入氢气在 衬底温度为室温以上且350℃以下形成的。

10.根据权利要求9所述的制造SOI衬底的方法，

其中，所述等离子体CVD法是在引入所述氢气的基础上还引入 硅烷气以及氨气而进行的。

11.根据权利要求8所述的制造SOI衬底的方法，

其中，所述氧化物膜是通过在含有氯化氢的氧化性气氛下对所述 单晶半导体衬底进行热氧化处理而形成的。

12.根据权利要求8所述的制造SOI衬底的方法，

还包括：在使所述含有氮的层的表面与所述支撑衬底的表面彼此 接合之后，进行加热处理及加压处理。

13.根据权利要求8所述的制造SOI衬底的方法，

其中，使用单晶硅衬底作为所述单晶半导体衬底。

14.根据权利要求8所述的制造SOI衬底的方法，

其中，使用表面的平均面粗糙度为0.3nm以下的玻璃衬底作为 所述支撑衬底。