[发明专利]载置台、处理装置以及处理系统有效
| 申请号: | 200810173585.1 | 申请日: | 2008-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN101431041A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
| 发明(设计)人: | 东条利洋;佐佐木和男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/00;B65G49/06;B65G49/07 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载置台 处理 装置 以及 系统 | ||
1.一种载置台,其在处理装置中载置被处理体,其特征在于,包括:
多个载置面,其载置多个被处理体;和
交接机构,其具有升降自如的多个可动部件,该多个可动部件在与所述载置面平行的状态下相互隔开距离在同方向上排列,通过由所述可动部件支撑被处理体,在所述可动部件与搬送装置之间一并进行多个被处理体的交接。
2.如权利要求1所述的载置台,其特征在于:
所述可动部件在一边支撑多个被处理体一边下降之后的位置,将被处理体载置于所述载置面,并在一边支撑多个被处理体一边上升之后的位置在所述可动部件与所述搬送装置之间进行被处理体的交接。
3.如权利要求1或2所述的载置台,其特征在于:
所述可动部件由绝缘性材料构成,包围所述载置面的周围,构成对所述载置面进行划分的绝缘部的一部分的第一绝缘性部件。
4.如权利要求3所述的载置面,其特征在于:
所述绝缘部具有与所述第一绝缘性部件组合并包围所述载置面的周围的第二绝缘性部件。
5.如权利要求4所述的载置台,其特征在于:
通过正交配置所述第一绝缘性部件和所述第二绝缘性部件,使得所述绝缘部成为格子状。
6.如权利要求5所述的载置台,其特征在于:
在所述第一绝缘性部件上设置有对被处理体定位的台阶部。
7.如权利要求1或2所述的载置台,其特征在于:
对应于所述各个载置面,设置有吸附保持被处理体的静电吸附机构。
8.如权利要求1或2所述的载置台,其特征在于:
在所述载置面上设有冷却被处理体背面的冷却用气体的喷出口。
9.一种处理装置,其对多个被处理体进行一并处理,其特征在于,包括:
处理容器;和
配置在所述处理容器内的如权利要求1~8中任一项所述的载置台。
10.如权利要求9所述的处理装置,其特征在于:
其是通过等离子体处理被处理体的等离子体处理装置。
11.一种处理系统,其包括一并处理多个被处理体的处理装置、和具有同时支撑多个被处理体的梳齿状的支撑部件的搬送装置,其特征在于:
所述处理装置具有处理容器和在所述处理容器内载置多个被处理体的载置台,
所述载置台具有:
载置被处理体的多个载置面;和
交接机构,其具有升降自如的多个可动部件,该多个可动部件在与所述载置面平行的状态下相互隔开距离在同方向上排列,通过由所述可动部件支撑被处理体,在所述可动部件与所述梳齿状的支撑部件之间一并进行多个被处理体的交接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





