[发明专利]曝光装置、器件制造方法

说明书

本申请是申请号为200480021856.1、申请日为2004年7月26日、 发明名称为“曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法”的 发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种通过投影光学系和液体对基板进行曝光的曝光 装置、使用该曝光装置的器件制造方法、及曝光装置的控制方法。

背景技术

半导体器件或液晶显示器件通过将形成于掩模上的图形转印到 感光性基板上的所谓的光刻方法制造。该光刻工序使用的曝光装置具 有支承掩模的掩模台和支承基板的基板台，一边依次移动掩模台和基 板台，一边通过投影光学系将掩模的图形转印到基板。近年来，为了 应对器件图形的更进一步的高集成化，希望获得投影光学系的更高的 析像度。使用的曝光波长越短、投影光学系的数值孔径越大时，投影 光学系的析像度越高。为此，曝光装置使用的曝光波长逐年变短，投 影光学系的数值孔径也增大。现在主流的曝光波长为KrF受激准分子 激光的248nm，但更短波长的ArF受激准分子激光的193nm也正得 到实用化。另外，当进行曝光时，与析像度同样，焦深(DOF)也变 得重要。析像度R和焦深δ分别用下式表示。

R＝k₁·λ/NA                               ...(1)

δ＝±k₂·λ/NA²                            ...(2)

其中，λ为曝光波长，NA为投影光学系的数值孔径，k₁、k₂为 过程系数。从(1)式、(2)式可知，当为了提高析像度R而减小曝 光波长λ、增大数值孔径NA时，焦深δ变窄。

当焦深δ变得过窄时，难以使基板表面与投影光学系的像面一 致，存在曝光动作时的余量不足的危险。因此，作为实质上减小曝光 波长而且扩大焦深的方法，例如提出有公开于国际公开第99/49504号 公报的液浸法。该液浸法用水或有机溶剂等液体充满投影光学系的下 面与基板表面之间，形成液浸区域，利用液体中的曝光用光的波长为 空气中的1/n(n为液体的折射率，通常为1.2～1.6左右)这一点，提 高析像度，同时，将焦深扩大为约n倍。

可是，在液浸曝光装置中，如曝光用的液体泄漏或浸入，则存在 由该液体引起装置·构件的故障、漏电或生锈等问题的可能性。另外， 不能良好地进行曝光处理。

发明内容

本发明就是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供一种在使 用液浸法的场合也可良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、 及曝光装置的控制方法。另外，可提供能够减小曝光用的液体的泄漏 或浸入产生的影响、良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、 及曝光装置的控制方法。

为了解决上述问题，本发明采用与实施形式所示图1～图22对应 的以下构成。但是，各部分采用的带括弧的符号不过用于例示该部分， 不限定各部分。

本发明的第1形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光 (EL)照射到基板(P)，对基板(P)进行曝光；其中：具有投影光 学系(PL)和液体供给机构(10)；

该投影光学系(PL)将图形像投影到基板(P)上；

该液体供给机构(10)将液体(1)供给到投影光学系(PL)与 基板(P)之间；

液体供给机构(10)在检测到异常或故障时停止液体(1)的供 给。

按照本发明，当检测到异常时，停止由液体供给机构进行的液体 供给，所以，可防止液体的泄漏或浸入或其损失的扩大。因此，可防 止液体造成的周边装置·构件的故障、生锈或基板所处环境的变动的问 题的发生，或降低这样的问题的影响。

本发明的第2形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光 (EL)照射到基板(P)，对基板(P)进行曝光；其中具有：

通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL) 和

电气设备(47、48)；

为了防止液体(1)的附着引起的漏电，当检测到异常时，停止 向电气设备(47、48)供电。

按照本发明，检测到异常时，停止向电气设备供电，防止液体的 附着导致的漏电，所以，可防止漏电对周边装置的影响和电气设备自 身的故障等问题的发生，或降低由此造成的损失。