[发明专利]背光模块的短路检测电路有效
申请号: | 200810172807.8 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101730349A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 陈廷仰;李秋平;尹明德 | 申请(专利权)人: | 原景科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B37/03 | 分类号: | H05B37/03;F21V23/00;G09G3/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背光 模块 短路 检测 电路 | ||
1.一种短路检测电路,用以检测一背光模块的短路状况,其中该背光 模块包含一白光发光二极管电路,该白光发光二极管电路包含一第一端及 一第二端,该第一端电性连接一输出电压,该第二端电性连接至一驱动电 路,该短路检测电路包含:
一P型金属氧化物半导体晶体管,包含第一栅极、第一漏极及第一源 极,其中该第一栅极接收一第一电压,该第一源极电性连接至该第二端;
一N型金属氧化物半导体晶体管,包含第二栅极、第二漏极及第二源 极,其中该第二栅极接收一参考电压,该第二漏极电性连接至该P型金属 氧化物半导体晶体管的该第一漏极,该第二源极电性连接至一检测端,当 该白光发光二极管电路具有一短路状况而于该第二端产生穿过该P型金属 氧化物半导体晶体管的一短路电位,且该参考电压为一高态时,该检测端 的电压亦为一高态,该参考电压为一低态时,该检测端的电压亦为一低态;
一负载,电性连接于该N型金属氧化物半导体晶体管的该第二源极及 一接地电位之间;以及
一检测模块,电性连接该检测端,当该检测端的电压为高态时,触发 该检测模块以检测到该短路状况。
2.如权利要求1所述的短路检测电路,还包含至少一加强型P型金属 氧化物半导体晶体管,该第二端及该P型金属氧化物半导体晶体管的第一 源极间是以该加强型P型金属氧化物半导体晶体管互相电性连接。
3.如权利要求1所述的短路检测电路,还包含一阻容电路,该检测端 及该N型金属氧化物半导体晶体管的第二源极间是以该阻容电路互相电性 连接。
4.如权利要求3所述的短路检测电路,其中该阻容电路包含一电阻及 一电容,该电阻电性连接于该检测端及该N型金属氧化物半导体晶体管的 第二源极间,该电容电性连接该检测端及该接地电位之间。
5.如权利要求1所述的短路检测电路,其中该参考电压为一方波电压。
6.如权利要求5所述的短路检测电路,当该白光发光二极管电路未发 生该短路状况,该第二端的电压具有一充电周期,其中当参考电压位于一 高态时,该第二端的电压位于一未充电状态,而当参考电压位于一低态时, 该第二端的电压位于一充电状态。
7.如权利要求1所述的短路检测电路,其中当该检测模块检测到该短 路状况时,该检测模块产生一关闭讯号以关闭该驱动电路的运作。
8.一种背光模块,包含:
一白光发光二极管电路,包含一第一端,该第一端电性连接一输出电 压;
一驱动电路,电性连接至该白光发光二极管电路的一第二端;以及
一短路检测电路,包含:
一P型金属氧化物半导体晶体管,包含第一栅极、第一漏极及第一源 极,其中该第一栅极接收一第一电压,该第一源极电性连接至该第二端;
一N型金属氧化物半导体晶体管,包含第二栅极、第二漏极及第二源 极,其中该第二栅极接收一参考电压,该第二漏极电性连接至该P型金属 氧化物半导体晶体管的该第一漏极,该第二源极电性连接至一检测端,当 该白光发光二极管电路具有一短路状况而于该第二端产生穿过该P型金属 氧化物半导体晶体管的一短路电位,且该参考电压为一高态时,该检测端 的电压亦为一高态,该参考电压为一低态时,该检测端的电压亦为一低态;
一负载,电性连接于该N型金属氧化物半导体晶体管的该第二源极及 一接地电位之间;以及
一检测模块,电性连接该检测端,当该检测端的电压为高态时,触发 该检测模块以检测到该短路状况。
9.如权利要求8所述的背光模块,还包含至少一加强型P型金属氧化 物半导体晶体管,该第二端及该P型金属氧化物半导体晶体管的第一源极 间是以该加强型P型金属氧化物半导体晶体管互相电性连接。
10.如权利要求8所述的背光模块,还包含一阻容电路,该检测端及该 N型金属氧化物半导体晶体管的第二源极间是以该阻容电路互相电性连接。
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