[发明专利]图像检测器

说明书

技术领域

本发明涉及一种图像检测器，该图像检测器具有有源矩阵衬底(active matrix substrate)，在该有源矩阵衬底上设置多个开关元件。

背景技术

近来，平板检测器(FPD)已经投入实际应用。FPD包括有源矩阵衬底，该有源矩阵衬底上设置有多个开关元件和堆叠有X射线感应层，并且FPD能够将X射线信息直接转换成数字信息。FPD相对于传统的成像板的优点在于：它允许确认运动图像以及图像的瞬间确认。

该FPD的一个实例为：日本专利公开公报No.3737343(专利文件1)提出的图像检测器，如图17所示。

如图17所示，专利文件1提出的图像检测器包括：TFT阵列衬底(TFTarray substrate)100，该TFT阵列衬底具有两维设置的多个TFT开关；半导体层116，该半导体层116根据入射到上面的电磁波产生电荷并且堆叠在TFT阵列衬底100上，从而利用TFT阵列衬底100读取电荷；上部电极117，该上部电极117堆叠在半导体层116上；保护基板118，该保护基板118堆叠在半导体层116和上部电极117上，以便覆盖半导体层116和上部电极117；和树脂材料119，该树脂材料119填充在半导体层116/上部电极117与保护基板118之间的空间中。

当使用专利文件1执行图像检测时，给上部电极117施加高电压。这导致通过半导体层116的表面、从上部电极117向TFT阵列衬底100的线发生沿面放电(creeping discharges)，这可能会导致线损坏。但是，如图17所示，通过用树脂材料119覆盖半导体层116的端部，能够防止线损坏。

然而，在专利文件1的图像检测器中，树脂材料119与TFT阵列衬底100之间的结合强度不够，当温度变化导致线性膨胀时，树脂材料与TFT阵列衬底100之间的结合面处会出现分离，这将导致沿面放电或线损坏。

另外，在专利文件1的图像检测器中，如果树脂材料119与TFT阵列衬底100之间发生分离，保护基板118仅以接触面结合到TFT阵列衬底100，由于缺乏结合强度，这也导致保护基板118分离。

通常，需要在TFT阵列衬底的电荷收集电极的下面，TFT阵列衬底的上面设置厚度为1μm至2μm的有机材料制的有机绝缘层，以便使TFT阵列衬底的沉积表面平坦化。

已经发现，如果TFT阵列衬底的最上表面由有机绝缘材料形成，那么树脂材料与有机绝缘材料之间的结合强度弱，当温度变化导致线性膨胀时，树脂材料与TFT阵列衬底100之间最终还会出现分离问题，然后这导致沿面放电或线损坏。

鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供一种能够防止树脂材料从有源矩阵衬底分离的图像检测器。

发明内容

本发明的图像检测器包括：有源矩阵衬底，所述有源矩阵衬底具有基板，在所述基板上设置多个开关元件；半导体层，所述半导体层根据表示照射到半导体层上的图像信息的电磁波产生电荷并且堆叠在有源矩阵衬底上，从而利用有源矩阵衬底读取电荷；保护基板，所述保护基板设置成与有源矩阵衬底相对；和绝缘结合构件，所述绝缘结合构件把保护基板结合到有源矩阵衬底，其中所述绝缘结合构件通过无机绝缘膜结合到有源矩阵衬底，所述无机绝缘膜设置在围绕半导体层的周边的区域中。

在本发明的图像检测器中，保护基板可通过有机绝缘膜结合到有源矩阵衬底。

具体地，所述有源矩阵衬底可包括有机绝缘膜，所述有机绝缘膜在与绝缘结合构件的结合区域处具有多个开口，并且所述无机绝缘膜设置在有机绝缘膜的开口处。

更具体地，所述有机绝缘膜的开口可形成为使得绝缘结合构件通过开口与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20％至80％。

具体地，所述有源矩阵衬底可包括多个信号线，并且在所述信号线或信号线的相邻区域的上方设置有机绝缘膜，并且所述无机绝缘膜可设置在除了设置该有机绝缘膜的区域之外的区域中。

更具体地，绝缘结合构件与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20％至80％。

具体地，所述无机绝缘膜可以是SiNx膜。