[发明专利]图像检测器无效
申请号: | 200810170897.7 | 申请日: | 2008-10-23 |
公开(公告)号: | CN101419976A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 冈田美广 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 检测器 | ||
1.一种图像检测器,包括:
有源矩阵衬底,所述有源矩阵衬底具有基板,在所述基板上设置多个开关元件;
半导体层,所述半导体层根据表示照射到半导体层上的图像信息的电磁波产生电荷,并且所述半导体层堆叠在有源矩阵衬底上,从而利用有源矩阵衬底读取电荷;
保护基板,所述保护基板设置成与有源矩阵衬底相对;和
绝缘结合构件,所述绝缘结合构件把保护基板结合到有源矩阵衬底,
其中所述绝缘结合构件通过无机绝缘膜结合到有源矩阵衬底,所述无机绝缘膜设置在围绕半导体层的周边的区域中。
2.根据权利要求1所述的图像检测器,其中所述保护基板通过有机绝缘膜结合到有源矩阵衬底。
3.根据权利要求1或2所述的图像检测器,其中所述有源矩阵衬底包括有机绝缘膜,所述有机绝缘膜在与绝缘结合构件的结合区域处具有多个开口,并且所述无机绝缘膜设置在有机绝缘膜的开口处。
4.根据权利要求3所述的图像检测器,其中所述有机绝缘膜的开口形成为使得绝缘结合构件通过开口与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20%至80%。
5.根据权利要求1或2所述的图像检测器,其中所述有源矩阵衬底包括多个信号线,并且在所述信号线或信号线的相邻区域的上方设置有机绝缘膜,并且所述无机绝缘膜设置在除了设置该有机绝缘膜的区域之外的区域中。
6.根据权利要求5所述的图像检测器,其中绝缘结合构件与无机绝缘膜的接触面积对应于绝缘结合构件与有源矩阵衬底的接触面积的20%至80%。
7.根据权利要求1所述的图像检测器,其中所述无机绝缘膜是SiNx膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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