[发明专利]包括磁场传感器的助听器用集成电路

权利要求书

1、一种助听装置，其包括：

适于提供音频信号的两个或者更多个音频源；

适于处理由所述音频源提供的音频信号的信号处理电路；以及

设置在所述音频源之一中的集成电路，所述集成电路包括用于检测外部磁场存在的传感器和用于检测磁场阈的磁场阈比较器，所述磁场阈比较器包括一个输出，

其中，可操作地耦合到所述信号处理电路的所述磁场阈比较器的输出响应于检测到的外部磁场而变化。

2、如权利要求1所述的助听装置，其中，所述集成电路进一步包括：

选通门，所述选通门包括两个或者更多个音频源输入和一个输出，所述选通门适于响应于检测到的外部磁场来选择所述输入中的一个或者更多个，并且所述选通门的输出可操作地连接到所述信号处理电路。

3、如权利要求2所述的助听装置，其中，所述集成电路进一步包括：

可操作地耦合到所述磁场阈比较器的磁场阈值，所述磁场阈比较器可操作地耦合到所述传感器，并且适于响应于检测到的外部磁场和所述磁场阈值，向所述信号处理电路提供针对所述选通门的所述音频源输入中的一个或者更多个。

4、如权利要求1所述的助听装置，其中，所述集成电路进一步包括：

手动超控装置，其允许将一个或者更多个音频源信号呈送给所述信号处理电路。

5、如权利要求1所述的助听装置，其中，所述传感器是从由横向双极型磁敏晶体管LBMT、分裂漏MAGFET、霍尔效应传感器、微机电系统MEMS型装置以及有源拾音线圈组成的组中选择的。

6、如权利要求1所述的助听装置，其中，所述传感器具有大致100μW或更低的功率消耗。

7、如权利要求1所述的助听装置，其中，所述音频源中的一个或者更多个是电声换能器、电磁换能器或者其组合。

8、如权利要求7所述的助听装置，其中，所述电声换能器是麦克风。

9、如权利要求7所述的助听装置，其中，所述电磁换能器是拾音线圈。

10、如权利要求3所述的助听装置，其中，所述集成电路进一步包括：

可操作地耦合到所述信号处理电路的信号整形装置。

11、如权利要求10所述的助听装置，其中，所述信号整形装置是从由偏置器、放大器、滤波器以及整流器组成的组中选择的。

12、一种装置，其包括：

适于提供信号的换能器；和

设置在所述换能器中的用于检测外部磁场存在的传感器。

13、如权利要求12所述的装置，其进一步包括：

磁场阈比较器和磁场阈值，所述磁场阈比较器可操作地耦合到所述传感器和所述磁场阈值；以及

选通门，所述选通门适于响应于所述传感器检测到所述外部磁场的存在而提供输出信号，

其中，所述磁场阈比较器、所述磁场阈值以及所述选通门被设置在所述换能器中。

14、如权利要求13所述的装置，其进一步包括：

可操作地耦合到所述选通门的输出的信号处理电路。

15、如权利要求13所述的装置，其进一步包括：

一个或者更多个附加换能器，其适于提供至少一个信号，所述选通门适于响应于检测到的外部磁场来选择一个或者更多个信号。

16、如权利要求15所述的装置，其进一步包括：

可操作地耦合到所述选通门的所述输出的信号处理电路。

17、如权利要求15所述的装置，其进一步包括：

允许从所述选通门输出一个或者更多个信号的手动超控装置。

18、如权利要求16所述的装置，其进一步包括：

允许向所述信号处理电路呈送一个或者更多个信号的手动超控装置。

19、如权利要求12所述的装置，其中，所述传感器是从由横向双极型磁敏晶体管LBMT、分裂漏MAGFET、霍尔效应传感器、微机电系统MEMS型装置以及有源拾音线圈组成的组中选择的。

20、如权利要求12所述的装置，其中，所述传感器具有大致100μW或更低的功率消耗。