[发明专利]具电磁波相容镀层的电子元件封装体有效
申请号: | 200810170087.1 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101626027A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 熊信昌;林孜翰;郑杰元;曾立鑫 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/552 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 相容 镀层 电子元件 封装 | ||
1.一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元件封装体,包括:
一芯片级封装体具有一图像传感器阵列芯片以及一组光学构件;
一封胶层包围该图像传感器阵列芯片以及该组光学构件;以及
一电磁波相容(EMC)镀层设置于封胶层上,以避免电磁波干扰效应。
2.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该电 磁波相容镀层设置于该封胶层的一外表面上。
3.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该电 磁波相容镀层包括一电磁波吸收层。
4.如权利要求3所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该电 磁波吸收层包括一铁磁性材料、一亚铁磁性材料及一反亚铁磁性材料。
5.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该电 磁波相容镀层为一混层结构,其包括一电磁波吸收层和一部分电磁波反射 层。
6.如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该部 分电磁波反射层为一导电金属,其包括银、铜、镍及上述金属的任意组合。
7.如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该部 分电磁波反射层设置于该封胶层的一内表面上。
8.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该组 光学构件包括一组具有光圈的光学透镜。
9.如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,还包括一 遮蔽件设置于该封胶层的顶层上,其中该部分电磁波反射层设置于该遮蔽件 的一内表面上。
10.如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,还包括 一框架固定于该封胶层,其中该部分电磁波反射层设置于该框架上。
11.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该 图像传感器阵列芯片包括一接地的内部线路。
12.如权利要求8所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该 组光学构件的面积小于或等于该图像传感器阵列芯片的面积。
13.如权利要求12所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该 电磁波相容镀层顺应性地沉积在该组光学构件和该图像传感器阵列芯片上。
14.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体,其中该 电磁波相容镀层是由喷涂法、旋转涂布法、浸置法、贴附法或溅镀法形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的