[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板和制造这种TFT基板的方法， 本发明更具体地涉及一种用在用于显示图像的显示装置中的TFT基板和制 造这种TFT基板的方法。

背景技术

液晶显示(LCD)装置包括薄膜晶体管(TFT)基板，面向TFT基板的 滤色片基板，和置于TFT基板与滤色片基板之间的液晶显示层。

TFT基板包括形成于绝缘基板以驱动如多个像素、TFT、和/或像素电 极的信号线。滤色片基板包括滤色片层和面向像素电极的共用电极，该滤 色片层包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。

因为TFT基板的制造工艺通过使用掩膜的光电蚀刻处理来完成，所以 通过减少在光电蚀刻处理中所使用的掩膜数能够降低制造成本，并且能够 增加生产率。

四掩膜处理包括通过一个掩膜处理使活性图案(active patten)和 数据布线形成图案。在四掩膜处理中，预定区域的透射比能够使用狭缝掩 膜或半色调掩膜而控制，以形成光致抗蚀剂图案的边缘部。通过蚀刻处理 和灰化处理(ashing process)的结合，使活性图案和数据布线形成图案。

然而，较少掩膜(mask-less)技术可以使制造工艺复杂，从而使得 产量和透光率下降。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，提供了一种具有由较少掩膜技术形成的 低阻抗布线的薄膜晶体管(TFT)基板，和制造这种薄膜晶体管(TFT)基 板的方法。

根据本发明的示例性实施例，薄膜晶体管(TFT)基板包括：形成于 基板上的半导体图案；形成为与基板上的半导体图案一致的层的导电图 案；形成于半导体图案上的第一布线图案，且第一布线图案包括源极和与 源极间隔开的漏极；形成于具有第一布线图案的基板上以覆盖第一布线图 案的绝缘图案；和形成于绝缘图案上的第二布线图案，且第二布线图案包 括形成于源极和漏极上的栅极。

半导体图案可以包括金属氧化物半导体。

金属氧化物半导体可以包括氧化锌(ZnO)。

金属氧化物半导体可以包括铟(In)和镓(Ga)中的至少一种。

导电图案包括通过等离子处理金属氧化物半导体形成的导电氧化物 材料。

第一布线图案可以进一步包括电连接到源极的数据线。

导电图案包括电连接到漏极的像素电极；和电连接到数据线的数据焊 盘(data pad)。

第二布线图案可以进一步包括电连接到栅极的栅极线，和电连接到栅 极线的栅极焊盘(gate pad)。

第一布线可以进一步包括用于形成保持电容器的第一保持电极，而第 二布线图案进一步包括重叠(overlap)第一保持电极以形成保持电容器 的第二保持电极。

TFT基板可以进一步包括形成于具有第二布线图案的基板上的滤色片 层，和形成于具有第二布线图案的基板上的黑底(black matrix)。

根据本发明的示例性实施例，薄膜晶体管(TFT)基板包括：形成于 基板上的半导体图案，且半导体图案包括金属氧化物半导体；形成于半导 体图案上的第一布线图案，且第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏 极；形成于具有第一布线图案的基板上的绝缘图案，且绝缘图案覆盖第一 布线图案；形成于绝缘图案上的第二布线图案，且第二布线图案包括形成 于源极和漏极上的栅极；和形成于基板上的导电图案，且导电图案包括电 连接到漏极的像素电极。

TFT基板可以进一步包括形成于具有第二布线图案的基板上的滤色片 层，和形成于具有第二布线图案的基板上的光阻挡层，其中导电图案形成 于滤色片层和光阻挡层上。

根据本发明的示例性实施例，制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法包 括步骤：使用第一掩膜在基板上形成半导体图案层和在所述半导体图案层 上形成第一布线图案，且第一布线图案包括源极和与源极间隔开的漏极； 使用第二掩膜形成覆盖第一布线图案的绝缘层图案和在绝缘层图案上形 成第二布线图案，且第二布线图案包括形成于源极和漏极上的栅极；以及 在半导体图案层的一部分上通过等离子处理形成导电图案和半导体图案。