[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管TFT基板，包括：

形成于基板上的半导体图案；

导电图案，所述导电图案形成在与所述基板上的所述半导体图案相同 的层上；

形成于所述半导体图案上的第一布线图案，所述第一布线图案包括源 极和与所述源极间隔开的漏极；

绝缘图案，所述绝缘图案形成于具有所述第一布线图案的基板上以覆 盖所述第一布线图案；以及

形成于所述绝缘图案上的第二布线图案，所述第二布线图案包括形成 于所述源极和所述漏极上的栅极；

其中，所述半导体图案包括金属氧化物半导体；

所述导电图案包括通过等离子处理所述金属氧化物半导体形成的导 电氧化物材料；

所述导电图案包括像素电极，所述像素电极与漏极部分重叠而电连接 到漏极。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述金属氧化物半导体包括 氧化锌(ZnO)。

3.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述金属氧化物半导体还包 括铟(In)和镓(Ga)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述第一布线图案进一步包 括电连接到所述源极的数据线。

5.根据权利要求4所述的TFT基板，其中所述导电图案包括电连接到 所述数据线的数据焊盘。

6.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述第二布线图案进一步包 括：

电连接到所述栅极的栅极线；和

电连接到所述栅极线的栅极焊盘。

7.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述第一布线图案进一步包 括用于形成保持电容器的第一保持电极，以及

所述第二布线图案进一步包括重叠所述第一保持电极以形成保持电 容器的第二保持电极。

8.根据权利要求1所述的TFT基板，进一步包括：

形成于具有所述第二布线图案的基板上的滤色片层；和

形成于具有所述第二布线图案的所述基板上的黑底。

9.一种制造薄膜晶体管TFT基板的方法，包括步骤：

使用第一掩膜在基板上形成金属氧化物半导体图案层和在所述半导 体图案层上形成第一布线图案，所述第一布线图案包括源极和与所述源极 间隔开的漏极；

使用第二掩膜形成覆盖所述第一布线图案的绝缘层图案和在所述绝 缘层图案上形成第二布线图案，所述第二布线图案包括形成于所述源极和 所述漏极上的栅极；和

在所述半导体图案层的一部分上通过等离子处理形成导电图案和半 导体图案；

其中，所述导电图案包括像素电极，所述像素电极与漏极部分重叠而 电连接到漏极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述半导体图案层和所述 第一布线图案的步骤包括步骤：

形成金属氧化物半导体层，然后形成第一导电层；

使用所述第一掩膜在所述第一导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；

蚀刻所述第一导电层和所述金属氧化物半导体层以由所述第一导电 层形成第一导电图案层和由所述金属氧化物半导体层形成半导体图案层；

对所述第一光致抗蚀剂图案执行深蚀刻处理以形成第二光致抗蚀剂 图案；以及

蚀刻所述第一导电图案层以形成所述第一布线图案。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述绝缘层图案和所述第 二布线图案的步骤包括步骤：

在具有所述第一布线图案的所述基板上形成绝缘层，然后形成第二导 电层；

使用所述第二掩膜在所述第二导电层上形成第三光致抗蚀剂图案；

蚀刻所述第二导电层以形成第二导电图案层；

蚀刻所述绝缘层以形成所述绝缘层图案；

对所述第三光致抗蚀剂图案执行深蚀刻处理以形成第四光致抗蚀剂 图案；以及

蚀刻所述第二导电图案层以形成第二布线图案。