[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括由用于器件隔离的浅沟槽隔离区包围的用于静电 放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管，且该晶体管置于外部连接端子和内 部电路区之间以保护形成在内部电路区中的内部元件不发生静电放电击穿，

其中该用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管的漏极区至少在 邻近栅电极的区域的端部远离浅沟槽隔离区设置。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中至少在邻近该用于静电放电保护的 n型金属氧化物半导体晶体管的栅电极的区域中，该用于静电放电保护的n型金 属氧化物半导体晶体管的漏极区设置为与浅沟槽隔离区的距离至少等于或大于 该用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管的栅极长度。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中：

仅在邻近该用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管的栅电极 的区域中，该用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管的漏极区远离 浅沟槽隔离区设置；并且

该半导体器件进一步包括提供在浅沟槽隔离区和该用于静电放电保护 的n型金属氧化物半导体晶体管的漏极区之间的分隔区，该分隔区以自对准方 式设置在该用于静电放电保护的n型金属氧化物半导体晶体管的栅电极延伸的 区域中。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中该用于静电放电保护的n型金属氧 化物半导体晶体管由具有轻掺杂漏极结构的n型金属氧化物半导体晶体管构成。

5.据权利要求1的半导体器件，其中该用于静电放电保护的n型金属氧化 物半导体晶体管由具有偏移漏极结构的n型金属氧化物半导体晶体管构成。