[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810167741.3 | 申请日: | 2008-09-27 |
公开(公告)号: | CN101398547A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 国森隆志;山崎泰志;佐藤尚;安森正宪 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G01J1/42 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄 威;张 彬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,具有在基板上具备与各像素对应的开关元件的显示区域,其特征在于,包括:
光量检测装置,包括:第1光检测部,其具备第1光传感器;第2光检测部,其具备第2光传感器;光传感器读取部,所述光量检测装置将由所述第1光检测部和所述第2光检测部检测到的光量作为光量信号输出;
减光装置,其形成在俯视时叠加于所述第1光传感器或者所述第2光传感器中至少一个的区域上,使入射到所述第1光传感器和第2光传感器的入射光量不同;并且,
所述第1光检测部具有第1光检测电路,该第1光检测电路将基于入射到第1光传感器的入射光的第1输出信号输出到所述光传感器读取部;
所述第2光检测部具有第2光检测电路,该第2光检测电路,将基于入射到第2光传感器的入射光的第2输出信号输出到所述光传感器读取部;
所述光传感器读取部具备:
存储电路,存储作为初始状态中的第1光电流量和第2光电流量之比的初始比、以及检查表,该检查表将光劣化校正系数和光劣化率对应,该光劣化率为第2光电流量和初始状态的第2光电流量之比;
劣化系数演算部,与第1光检测电路、第2光检测电路以及存储电路连接,将所述第1输出信号和所述第2输出信号转换成作为光传感器的泄漏电流的第1光电流量和第2光电流量,演算作为第1光电流量和第2光电流量之比的测定比,并演算作为所述测定比和存储电路存储的初始比之比的光劣化校正系数,将该光劣化校正系数输出到光劣化率演算部,将第2光电流量输出到光信号输出部;
光劣化率演算部,与劣化系数演算部和存储电路连接,根据所述光劣化校正系数和检查表导出光劣化率并输出到光信号输出部;
光信号输出部,与劣化系数演算部和光劣化率演算部连接,根据从劣化系数演算部输出的第2光电流量和从光劣化率演算部输出的光劣化率演算出初始状态的第2光电流量,将该初始状态的第2光电流量作为相当于入射光量的光量信号输出。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,具有:
第1减光装置,其减低入射到所述第1光传感器的光量;
第2减光装置,其减低入射到所述第2光传感器的光量;
其中,所述第2减光装置的入射光减低率大于所述第1减光装置的入射光减低率。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第1减光装置和所述第2减光装置的相对光谱透过率相等。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述减光装置具有遮光构件,该遮光构件遮蔽入射到所述第1光传感器或所述第2光传感器的光的一部分。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述减光装置具有减光构件和所述遮光构件,该减光构件对入射到所述第1光传感器或所述第2光传感器的光进行减光。
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,当上述光劣化校正系数不包括在所述检查表上时,所述光劣化率演算部通过使用了所述检查表上的所述光劣化校正系数的插补计算而导出所述光劣化率。
7.如权利要求1至6任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述第1光传感器和所述第2光传感器为薄膜晶体管,且具有对施加至所述薄膜晶体管两端的电压进行充电的电容器。
8.如权利要求1至6任意一项所述的显示装置,其特征在于,在所述显示区域中具备电光物质层。
9.如权利要求1至5任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述第1光检测部和所述第2光检测部,分别沿着所述显示区域的外边缘至少在一边上并列配置。
10.如权利要求1至5任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述第1光检测部和所述第2光检测部,分别沿着所述显示区域的外边缘至少在一边上相互交叉配置。
11.如权利要求1至5任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述第1光检测部和所述第2光检测部被配置在所述像素内的一部分上。
12.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第1光传感器大小的合计和所述第2光传感器大小的合计相等。
13.如权利要求1至6任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述减光装置是彩色滤光片、偏光板或相位差板。
14.如权利要求4至6任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述遮光构件是黑矩阵。
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