[发明专利]阻断半导体差排缺陷的方法

权利要求书

1.一种阻断半导体差排缺陷的方法，至少执行一次下列步骤：

形成多个凹洞于一半导体层上的差排缺陷处；

在每一个凹洞上形成一阻断层；以及

再外延该半导体层，使该半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。

2.根据权利要求1的阻断半导体差排缺陷的方法，借由蚀刻该半导体层以形成多个凹洞于该半导体层上的差排缺陷处，且其中在每一个凹洞上形成一阻断层包含下列步骤：

沉积一阻断层于该半导体层上；

涂布光致抗蚀剂于该阻断层上，以形成填满所述多个凹洞的光致抗蚀剂；

移除所述多个凹洞以外的光致抗蚀剂；

蚀刻该半导体层，以移除所述多个凹洞以外的该阻断层，借此形成多个分布于凹洞的阻断层；

移除所述多个阻断层上的光致抗蚀剂，前述的阻断层为介电质，可包含氮化镁、氮化硅、氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钽、一氮化硅或一氧化硅等其中之一；以及

移除光致抗蚀剂。

3.根据权利要求1的阻断半导体差排缺陷的方法，在形成多个凹洞于一半导体层上的差排缺陷处之前，还包含下列步骤：

提供一衬底；以及

形成该半导体层于该衬底上，并形成一缓冲层于该衬底与该半导体层之间，前述的衬底可为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、铝酸锂衬底、镓酸锂衬底、硅衬底、氮化镓衬底，氧化锌衬底、氧化铝锌衬底、砷化镓衬底、磷化镓衬底、锑化镓衬底、磷化铟衬底、砷化铟衬底或硒化锌衬底等其中之一。

4.根据权利要求1的阻断半导体差排缺陷的方法，其中上述的半导体层为III族氮化物。

5.一种阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，包含下列步骤：

执行权利要求1的方法；以及

外延一化合物半导体复合层于该半导体层上，以形成一发光二极管。

6.一种阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，包含下列步骤：

外延一半导体层于一衬底上；

蚀刻该半导体层以形成多个凹洞于该半导体层上的差排缺陷处；

形成多个阻断层于所述多个凹洞上；

再外延该半导体层，使该半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向；以及

外延一化合物半导体复合层于该半导体层上，以形成一发光二极管。

7.根据权利要求6的阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，其中形成多个阻断层于所述多个凹洞上包含下列步骤：

沉积一阻断层于该半导体层上；

涂布光致抗蚀剂于该阻断层上，以形成填满所述多个凹洞的光致抗蚀剂；

移除所述多个凹洞以外的光致抗蚀剂；

蚀刻该半导体层，以移除所述多个凹洞以外的该阻断层，以形成多个分布于凹洞的阻断层；

移除所述多个阻断层上的光致抗蚀剂，前述的阻断层可为介电质，可包含氮化镁、氮化硅、氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钽、一氮化硅或一氧化硅等其中之一；以及

光致抗蚀剂可借由光刻工艺移除。

8.根据权利要求6的阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，其中上述的衬底可为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、铝酸锂衬底、镓酸锂衬底、硅衬底、氮化镓衬底，氧化锌衬底、氧化铝锌衬底、砷化镓衬底、磷化镓衬底、锑化镓衬底、磷化铟衬底、砷化铟衬底或硒化锌衬底等其中之一，且还包含形成一缓冲层于该衬底与该半导体层之间。

9.根据权利要求6的阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，其中上述的半导体层为III族氮化物。

10.根据权利要求6的阻断发光二极管内部差排缺陷的方法，其中外延一化合物半导体复合层于该半导体层上还包含下列步骤：

形成一N型半导体导电层于该半导体层上；

形成一发光层于该N型半导体导电层上；以及

形成一P型半导体导电层于该发光层上，且形成一P型半导体电子阻挡层于该发光层与该P型半导体导电层之间，前述的N型半导体导电层、该发光层、该P型半导体导电层、该P型半导体电子阻挡层均为III族氮化物。