[发明专利]晶片水平测量功率MOS门器件栅电阻的改进校准法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管晶片，其特征在于，包括：

一种晶片水平测量校准电路，所述电路位于邻近支撑于此的多个金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的所述半导体晶片之上。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管晶片，其特征在于，位于所述半导体晶片之上的所述晶片水平测量校准电路包括一个电阻器-电容器RC网络。

3.一种进行晶片水平金属氧化物半导体场效应晶体管测量校准的方法，其特征在于，包括：

在邻近多个金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的半导体晶片上生成一种晶片水平测量校准电路，以便在未将所述金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的漏极与电压电源连接的情况下进行所述的晶片水平金属氧化物半导体场效应晶体管测量校准。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在半导体晶片上生成一种晶片水平测量校准电路的所述步骤进一步包括构建一个电阻器-电容器RC网络。