[发明专利]吡喃衍生物有效

专利信息
申请号: 200810165712.3 申请日: 2004-10-27
公开(公告)号: CN101369633A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 山县祥子;安部宽子;大泽信晴;野村亮二;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/00;C07D455/04;C09K11/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 韦欣华
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 衍生物
【说明书】:

本申请是专利号为200410095970.0、申请日为2004年10月27日、发明名称为“吡喃衍生物”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及吡喃衍生物,尤其是呈现长波长的光的吡喃衍生物。进一步,本发明涉及一种包含吡喃衍生物的发光元件。

背景技术

利用电致发光元件(发光元件)发出光的发光设备已由于其可作为照明或显示图像的设备而引起关注。

近年来,在发光设备的研发领域,能显示高品质全色图像的发光设备的研发速度加快,从而保证了各种信息处理设备的显示设备比如电视机或汽车导航系统的市场。

为了从发光设备获得全色图像,需要独立提供能分别呈现至少三种主要的颜色—红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的区域,从而在适当的时候发光。

已经开发出能提供上述呈现三种主要颜色在所述第三层上形成的第四层,该第四层包括具有电子传递性能的物质;和

区域的各种方法。提供上述区域的一种方法是制成层体,每一层含有在不同位置显示不同颜色的发光化合物,从而提供了含有各个独立层的发光元件。

对于使用上述方法的情况,需要根据各个发射颜色选择发光化合物。因此,开发了呈各种波长范围内发射光的发光材料。

例如,对于呈红光发射的材料,例如在日本公布的申请号2001-19946的未审查专利中公开的双-4H-吡喃衍生物已经研制出来。

但是,在日本公布的申请号2001-19946的未审查专利中公开的一些双-4H-吡喃衍生物由于其在汽相沉积期间易于被碳化,从而难以通过真空汽相沉积制成薄膜。

对于使用这种易被碳化的发光材料的情况,焦油状物质易于粘附在蒸发源上。因此,更换蒸发源的频率增加。结果出现了一个问题:需要越多的沉积发光材料,则材料的使用效率越低。另外,还出现了另一个问题:由于碳化的发光材料使得不能获得良好的发光性能等。

因此,需要开发一种发光材料,其不仅能呈现具有良好发光性能的发射光,还能易于应用真空汽相沉积。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种能易于应用真空汽相沉积且呈长波长光的发光化合物。本发明的进一步的目的是提供一种发光元件,其不具有由于汽相沉积期间发光材料的碳化导致的劣质发光性能;以及包括该发光元件的发光设备。

即,本发明提供以下:

(1).发光设备,其包括:

在基底上形成的第一电极;

在所述基底上形成的第一层,该第一层包括具有空穴注入性能的物质;

在所述第一层上形成的第二层,该第二层包括具有空穴传递性能的物质;

在所述第二层上形成的第三层,该第三层包括吡喃衍生物和具有载体传递性能的物质;

本发明的另一方面是利用本发明的由上述通式1、结构式2或结构式3中任何一个表示的吡喃衍生物的发光元件。

在所述第四层上形成的第二电极;

其中所述吡喃衍生物由下述通式(1)表示:

其中R1是烷氧基。

(2).上述(1)的发光设备,其中R1是甲氧基。

(3).上述(1)的发光设备,其中所述具有空穴注入性能的物质包括金属氧化物。

(4).上述(1)的发光设备,其中所述具有空穴注入性能的物质选自氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钨和氧化锰。

(5).上述(1)的发光设备,其中所述具有空穴传递性能的物质是芳香胺。

(6).上述(1)的发光设备,其中所述具有电子传递性能的物质是金属复合物。

(7).上述(1)的发光设备,其中所述具有电子传递性能的物质与具有载体传递性能的物质相同。

(8).上述(1)的发光设备,其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极具有光透射性能。

(9).上述(1)的发光设备,其中所述发光设备被包括在照明设备中。

(10).发光设备,其包括:

在基底上形成的第一电极;

在所述基底上形成的第一层,该第一层包括具有电子传递性能的物质;

在所述第一层上形成的第二层,该第二层包括吡喃衍生物和具有载体传递性能的物质;

在所述第二层上形成的第三层,该第三层包括具有空穴传递性能的物质;

在所述第三层上形成的第四层,该第四层包括具有空穴注入性能的物质;和

在所述第四层上形成的第二电极;

其中所述吡喃衍生物由下述通式(1)表示:

其中R1是烷氧基。

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